本书从正电子发射体层仪（PET）成像发展历史入手，重点描述了PET成像物理与图像重建算法。本书是在浙江大学光电科学与工程学院开设的一门研究生课程的讲义基础上不断更新而成，大部分内容源自作者及所在研究团队的科研成果，在相对独立的章节中介绍了相关的科学概念和技术细节。全书共四部分：PET成像概述，PET成像技术基础，PET成像信号探测、采集与处理和PET成像技术未来发展。

5G+AI融合全景图 在回顾5G和AI技术发展的基础上，对未来5G与AI融合进行从理论到实际用例及需求，再到国际标准化及产业推进的讲解与分析。本书给出“5G智能维”的概念，并对5G引入AI的理论基础进行分析。其次，基于理论分析，本书对目前5G网络中引入AI的场景、用例及5G网络架构需要进行的标准化进行了说明。再次，本书在分析了5G中引入的AI算法之后，对5G网络支持AI的算法及应用进行了的介绍。并结合基础的理论和用例分析，本书对未来5G与AI融合赋能各垂直行业进行了展示，同时对未来6G与AI融合、如何构建6G智能维也进行了展望。本书适合移动通信及AI相关专业学生、从事移动通信及AI相关工作工程师及希望了解未来5G与AI发展的的相关人士阅读。书中部分内容可用于5G及AI入门级培训班或者高等院校5G及AI相关课程。

本书针对5G异构密集网络部署场景，对5G网络涉及的关键技术之一—业务迁移技术进行介绍。具体包括针对不同网络性能优化目标的业务迁移技术、结合其他关键技术的业务迁移技术、针对不同时延需求的业务迁移技术，以及移动场景下的业务迁移技术等多个方面，并对业务迁移技术研究前景进行了展望。

网络虚拟化技术是实现网络服务定制化、资源灵活调度的未来网络核心技术之一，第五代（5G）移动通信技术则基于虚拟化的思想，采用了网络切片为用户提供高质量的端到端定制化的网络服务，基于此，本书从端到端的角度梳理了当前常用的网络虚拟化技术方案。本书首先介绍了虚拟化技术的内涵与发展历程，并重点归纳和总结了网络虚拟化的通用技术框架，然后从局域网、移动通信网、骨干网和数据中心四个网络场景展开，具体介绍了在不同网络场景下常用的网络虚拟化方案。

本书系统介绍了雷达信号检测领域的发展前沿和**研究成果，重点阐述了知识基自适应检测和泄露自适应检测两方面内容。对于知识基自适应检测，包括阵列斜对称检测、杂波谱对称检测和贝叶斯检测三部分内容，实现了对各种先验知识的有效利用，大幅提高雷达在非均匀环境下的探测性能。对于泄露自适应检测，在完成离散时间信号建模基础上，构建了相应的二元假设检验问题，采用广义似然比等检验准则给出解决方案，将以泄露目标能量创新地加以利用，不仅有效减小泄露损失，还实现了对目标距离的有效估计。进一步探讨了提高泄露检测性能的措施，包括对时间序列进行过采样、利用前述各类先验知识等。此外，本书还采用雷达实测数据对所介绍方法的有效性进行了充分验证。

近些年来，光通信系统的物理层安全性已经成为国内外研究热点。本书论述基于光编码的物理层安全光通信系统，包括光纤通信系统、自由空间光通信系统和混合光通信系统，涉及理论分析、系统仿真和系统实验。本书内容是作者课题组相关研究成果的总结，读者可以从中了解光编码物理层安全的研究进展，对本领域的下一步研究方向也有一定的启示。

本书结合实例，从底层电平标准、令牌、事务、传输、请求到应用各层面，系统地讨论了USB 规范，并以看得见的方式形象地阐述了USB设备的开发思想，让读者有能力（在开发平台即便与本书不一致的情况下）进行各种常用USB设备（含鼠标、键盘、复合、自定义HID、非标准、大容量存储、虚拟串口、声卡等）的核心编程，真正做到“知其然更知其所以然”，也能够更加从容地面对USB设备固件与主机端应用程序的设计。本书既可作为初学者的辅助学习教材，也可作为工程师进行电路设计、制作与调试的参考书。

本书包含5G系统架构的认知、5G承载网设备安装、5G承载网中的以太网技术、5G承载网中的IP路由技术、5G承载网测试与验收、5G承载网络维护等内容。本书以“项目—任务”的形式组织基础理论和操作实训的知识点，使读者既能了解5G的基本概念，又能掌握5G承载网的基本原理、设备安装和开通、业务测试与验收、网络日常维护等方面的基础知识与应用技能。本书可用于1+X证书制度试点工作中的5G承载网运维职业技能的教学，也可供5G承载网维护人员使用。

集成电路已进入纳米世代，为了应对集成电路持续缩小面临的挑战，鳍式场效应晶体管（FinFET）应运而生，它是继续缩小和制造集成电路的有效替代方案。本书讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。本书内容详实，器件物理概念清晰，数学推导详尽严谨。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。

本书介绍了电子微组装组件的互连结构特点，全面阐述了电子微组装材料及结构在各种应力条件下的退化机理和失效模式，提出了基于失效物理的电子微组装产品可靠性设计指标分解技术和可靠性设计技术。全书分基础篇和应用篇，基础篇分别论述了热、机械、潮湿、盐雾、电磁应力下的电子微组装失效机理和可靠性设计方法，应用篇给出了电子微组装组件可靠性设计解决方案及应用实例。