氮化物半导体太赫兹器件

　　随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的Z新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器件和高灵敏探测器件等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。本书是在作者近几年来一直从事氮化物太赫兹器件研究工作的基础上，借鉴了国内外相关领域的核心研究成果，并通过大量的应用实例来让从事实践的工程师掌握基本的固态太赫兹知识，并尽量减少纯粹的数学分析。 本书供从事氮化物半导体太赫兹器件的研究人员及工程技术人员学习参考。

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