半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲

　　本书从光刻机到下一代光刻技术，从光刻胶材料到多重图形化技术，全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。本书共14章，内容包括光掩膜、下一代光刻技术发展趋势、EUV掩膜技术、纳米压印技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装（DSA）技术、光刻胶材料的发展趋势、含金属光刻胶材料技术、多重图形化中的沉积和刻蚀技术、光散射测量技术、扫描探针显微镜技术、基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术、MEMS技术的微缩图形化应用、原子级低损伤高精度刻蚀等。本书适合有一定半导体相关知识的从业者阅读。

　　李哲洋，博士，研究员，现任怀柔实验室北京智慧能源研究院功率半导体研究所碳化硅外延材料资深技术专家。毕业于南京大学物理学院，获微电子与固体电子学博士学位，主要研究方向为第三代半导体材料与器件。曾就职于中国电子科技集团公司第五十五研究所、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司和南京大学，是我国最早从事第三代半导体材料及器件研究的科研人员之一。主编·作者名单主　编冈崎信次Gigaphoton株式会社原技术顾问作　者（按照撰写顺序）冈崎信次Gigaphoton株式会社原技术顾问林直也日本印刷株式会社精密光电子事业部研究员石原直东京大学工学系研究科首席研究员沟口计Gigaphoton株式会社执行副社长/CTO/研究部长斋藤隆志Gigaphoton株式会社EUV开发部常务执行董事EUV开发部长山崎卓Gigaphoton株式会社EUV开发部副部长笑喜勉HOYA株式会社掩膜事业部第2技术开发部主任小寺丰凸版印刷株式会社综合研究所科长森本修佳能株式会社光学器材事业本部半导体器材第三PLM中心半导体器材NGL24设计室室长法元盛久日本印刷株式会社研究开发中心主干研究员山田章夫Advantest株式会社纳米技术事业本部中山田宪昭Nu Flare Technology株式会社描画装置技术部参事山下浩Nu Flare Technology株式会社描画装置技术部光束控制技术组参事永原诚司东京电子株式会社CTSPS BU 高级经理/首席科学家上野巧信州大学光纤创新技术孵化中心特聘教授鸟海实境界科技研究所所长野尻一男Lam Research株式会社执行董事/研究员杉本有俊日立株式会社高科技电子器件系统事业统括本部公司顾问白崎博公玉川大学名誉教授大田昌弘岛津制作所株式会社分析测量事业部X射线表面测量事业部产品经理伊藤义泰Rigaku X射线研究所株式会社主任技师江刺正喜日本东北大学微系统融合研究开发中心主任/教授户津健太郎日本东北大学微系统融合研究开发中心副教授铃木裕辉夫日本东北大学微系统融合研究开发中心助手小岛明日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员池上尚克日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员宫口裕日本东北大学微系统融合研究开发中心研究员越田信义东京农工大学研究生院工学部特聘教授寒川诚二日本东北大学流体科学研究所/原子分子材料高等研究所教授

目　 录
主编·作者名单
绪　言　　半导体微缩图形化技术与光刻技术
?1??  引言 
?2??  微缩化的指导原则及其效果 
?3??  光刻技术的发展及其困难 
?4??  下一代光刻技术及未来发展 
第 1 章　 光掩膜 
1.1　引言 
1.2　光掩膜的起源 
1.3　光掩膜的结构 
1.4　光掩膜的制造工艺 
1.5　掩膜版的挑战及未来展望 
第 2 章　 下一代光刻技术发展趋势 
2.1　下一代光刻技术 
2.2　EUV光刻技术 
2.3　电子束刻蚀技术 
2.4　纳米压印技术 
2.5　定向自组装（Directed　Self Assembly）技术 
第 3 章　 EUV掩膜技术 
3.1　EUV掩膜版制造技术 
3.2　掩膜技术 
第 4 章　 纳米压印技术 
4.1　纳米压印设备 
4.2　纳米压印模板技术 
第 5 章　 电子束刻蚀技术与设备开发 
5.1　可变形电子束刻蚀设备 
5.2　多电子束刻蚀设备 
第 6 章　 定向自组装（DSA）技术 
6.1　引言 
6.2　DSA技术中聚合物的自组装 
6.3　DSA工艺的基本步骤 
6.4　DSA工艺相关材料 
6.5　DSA工艺的模拟 
6.6　DSA技术的优势和挑战 
6.7　结语 
第 7 章　 光刻胶材料的发展趋势 
7.1　引言 
7.2　光刻胶技术的转折点 
7.3　曝光波长的缩短和光刻胶的光吸收 
7.4　显影液的演变 
7.5　感光胶的感光机制演变及对比度提高 
7.6　分辨率限制与分子尺寸的考察 
7.7　结语 
第 8 章　 含金属光刻胶材料技术 
8.1　初期的含金属光刻胶 
8.2　EUV含金属光刻胶的特点 
8.3　康奈尔大学、昆士兰大学、EIDEC的含金属光刻胶 
8.4　含金属光刻胶的构成 
8.5　俄勒冈州立大学、Inpria公司、IMEC的含金属光刻胶 
8.6　其他含金属光刻胶 
8.7　含金属光刻胶的功能提升 
第 9 章　 多重图形化中的沉积和刻蚀技术 
9.1　多重图形化中沉积和刻蚀技术的作用 
9.2　沉积技术 
9.3　刻蚀技术 
9.4　结语 
第 10 章　 光散射测量技术 
10.1　引言 
10.2　半导体光刻技术 
10.3　反射光测量技术 
10.4　散射计 
10.5　优化方法 
10.6　光散射测量分析的实例 
10.7　结语 
第 11 章　 扫描探针显微镜技术 
11.1　引言 
11.2　AFM的原理 
11.3　各种SPM技术 
11.4　SPM的特点 
11.5　SPM的应用 
11.6　结语 
第 12 章　 基于小角度X射线散射的尺寸和形状测量技术 
12.1　引言 
12.2　X射线散射 
12.3　小角度X射线散射的测量方法 
12.4　测量示例 
12.5　结语 
第 13 章　 MEMS技术的微缩图形化应用 
13.1　引言 
13.2　EUV光源滤波器 
13.3　基于有源矩阵纳米硅电子源的超大规模平行电子束刻蚀 
13.4　结语 
第 14 章　 先进刻蚀技术概要?原子级低损伤高精度刻蚀 
14.1　引言 
14.2　中性粒子束生成装置 
14.3　22nm节点之后的纵向鳍式场效应晶体管 
14.4　无缺陷纳米结构及其特性 
14.5　原子层面的表面化学反应控制 
14.6　结语