本书介绍了硅材料的结构与性能、分类及应用、主要制备技术及工艺，重点对太阳能电池、探测器等硅基光电子器件的结构与原理做了阐述，在此基础上分析了新型广谱硅材料的特点、结构、光电性能、研究现状及其在光电子器件方面的应用。本书中作者围绕硫族元素超饱和掺杂硅材料的制备、结构、特性、超饱和硫掺杂硅探测器与太阳能电池的研制及性能等方面开展了系列研究工作，并在相关实验及研究成果的基础上，对新型广谱硅材料的相关后续研究提出了一些意见和建议。

量子点发光二极管（QLED）是显示领域的一种新型材料，因其具有发光效率高、可溶解加工、色域广、制造成本低、响应速度快等优势，备受科研人员关注，有望在商业上获得广泛应用。本书旨在向读者介绍近年来国内外胶体量子点发光材料与器件的进展，全面总结胶体量子点发光二极管器件中各功能层关键材料和器件的设计及优化方案，探讨材料性能、器件结构、制备工艺等对器件性能的影响以及提高器件性能的相应策略，对追踪本领域新技术进展及进一步发展所面临的瓶颈和挑战都具有重要作用。

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华外延、非晶衬底上氮化物准范德华外延、准范德华外延氮化物的柔性剥离及转移、准范德华外延氮化物器件散热以及Ⅲ族二维氮化物。 全书内容新颖，循序渐进，理论性和应用性强，可供从事第三代半导体材料以及半导体照明领域相关的研究生、科研人员与企业研发人员等阅读参考。

氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的Z新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、Z新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输法、氢化物气相外延法、金属有机物化学气相沉积法制备氮化铝单晶和氮化铝器件应用。 本书基于翔实的数据，对氮化铝单晶材料生长的技术方法及应用领域的发展进行了讨论，注重专业性和系统性，具有简明、扼要等特点，可供从事相关研究的科研和工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的参考教材。

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法，并对氧化镓的发展进行了综述和展望。 本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书，也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。

本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件的微纳结构生长、掺杂、受激辐射特性、量子效率测量，以及宽禁带半导体在紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等领域的应用，突出前沿和瓶颈问题。 本书可作为高等学校半导体光电子类相关专业高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为相关科研工作者的学习参考书。

随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的Z新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器件和高灵敏探测器件等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。本书是在作者近几年来一直从事氮化物太赫兹器件研究工作的基础上，借鉴了国内外相关领域的核心研究成果，并通过大量的应用实例来让从事实践的工程师掌握基本的固态太赫兹知识，并尽量减少纯粹的数学分析。 本书供从事氮化物半导体太赫兹器件的研究人员及工程技术人员学习参考。

本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合器件及金刚石半导体器件的展望。本书可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读。

本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1~4章（氧化镓材料部分）介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容；第5~7章（氧化镓器件部分）介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程，氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向，氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高等院校的教师、研究生、高年级本科生的参考书和工具书，也可作为其他对氧化镓宽禁带半导体器件感兴趣的研究人员的参考资料。

《第三代半导体产业人才发展指南》汇集了国内20余家行业协会、产业协会、研究机构、高校等的学者、研究人员、产业人士、技术专家，全景解析了我国第三代半导体产业发展及人才状况，剖析了第三代半导体产业政策，并给出了第三代半导体产业从业人员能力体系、第三代半导体产业贯通人才培养体系、第三代半导体产业从业人员能力提升体系建设的指导方案。最后从宏观上剖析了第三代半导体产业国际化人才培养和第三代半导体产业人才培养案例。