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相电流是电机控制系统矢量控制和保护策略的关键参数，脉冲宽度调制技术是控制系统与变换器之间的“桥梁”。可靠、精确的相电流检测，以及高性能脉冲宽度调制技术是提高控制系统性能的重要保障。本书重点讨论了交流电机控制系统单电流传感与脉冲宽度调制方法的原理和关键技术。全书共9章，分别介绍了电机控制器电流检测方法、直流母线电流采样方法、直流母线电流采样空间矢量脉冲宽度调制、非对称电压空间矢量脉冲宽度调制、混合空间矢量脉冲宽度调制相电流重构策略、误差扩大效应及其抑制方法、T型三电平逆变器及电压空间矢量调制、T型三电平逆变器CSVPWM相电流重构策略，以及单电流传感与脉冲宽度调制的硬件和软件实现。本书既可作为电机相关领域技术人员的参考书，也可作为电气工程等相关专业高年级本科生、研究生的学习参考用书。

本书围绕有源光纤、光纤激光器与光纤放大器，简明阐述和研讨其基本原理、典型特征及其应用与发展。全书分为三篇，共十四章。第一篇专注于有源光纤与光纤激光基础，简要介绍光致发光、受激辐射与激光、光纤激光器与光纤放大器基本原理、激光增益介质概况。第二篇致力于研讨有源光纤的制备、特性、应用与发展。第三篇专注于光纤激光器与光纤放大器，着重研讨各类型石英玻璃光纤激光器和特种玻璃光纤激光器的典型特征、研究现状与应用、面临挑战与未来发展。

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有效的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书后，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。

本书为“聚集诱导发光丛书”之一。本书邀请了数十位相关研究方向的学者，全面而系统地介绍了聚集诱导发光（AIE）材料在光电器件开发中的应用。本书是一系列原创性成果的系统归纳和整理，对聚集诱导发光材料在光电器件中的应用发展有着重要的推动意义和学术参考价值。内容主要包括有机发光二极管（OLED）、经典AIE材料及其OLED器件、聚集诱导延迟荧光材料及其OLED器件、基于空间电荷转移的热活化延迟荧光材料及其OLED器件、基于AIE材料的荧光/磷光混合型白光OLED（WOLED）、圆偏振AIE分子、太阳能集光器和电致荧光变色器件。

本书讲解了先进的电解电容器的基本原理与特性，详尽地分析了电解电容器在反激式变换器、正激式变换器、各种桥式变换器、LLC谐振式变换器和功率因数校正（PFC）电路等开关电源变换器中的工作状态和在逆变弧焊电源、变频器、静止无功发生器（SVG）等功率变换器中的工作状态，给出了典型的电解电容器技术数据。本书适合电解电容器制造工程师，电气、电子工程师，科研人员，电子爱好者，以及高等院校与电容器相关的电类专业学生和教师阅读。

本书是一部综合反映2022年中国信息通信业发展的研究分析报告。对我国2022年信息通信业、数字经济、互联网、5G、信息安 全的发展以及新政策、新业务、新技术和由此带来的影响等进行了深度分析，并对我国2022年信息通信业的走向作出了预测和展望，内容涵盖了运营、市场、业务、技术、管理等众多方面，以及信息通信和互联网产业链的各个环节。附录包含重要文件及政策解读、详实的行业数据和中国通信企业协会颁发的各类行业及企业奖项。

本书是系统介绍高分辨率光矢量分析技术基本理论、实现方法、研究现状的一本专著。介绍高分辨率光矢量分析的意义及其前景、频谱响应参数、现有光矢量分析技术的发展和现状；从基本原理、关键挑战、研究现状等方面详细介绍了四种典型高分辨率光矢量分析技术，分别为：基于光线性扫频的光矢量分析技术、基于宽谱电光调制的光矢量分析技术、基于光单边带扫频的光矢量分析技术和基于光双边带扫频的光矢量分析技术；介绍高分辨率光矢量分析技术的一些典型的应用研究。

《微纳结构太赫兹器件》全面介绍课题组利用微纳介质调控太赫兹波幅度、相位、偏振等参数的研究成果。《微纳结构太赫兹器件》主要涵盖有机材料、二维材料、硒氧化铋材料、掺杂荧光体发光材料、电流变液材料等介质的太赫兹传输特性，并且进一步详细分析光子晶体、液晶材料、VO2、钙钛矿量子点微纳介质等与超材料相结合获得各类复合微纳介质超表面，终实现对太赫兹波谐振及传输特性的调控。微纳介质太赫兹器件主要包括太赫兹调制器、太赫兹滤波器、太赫兹移相器、太赫兹极化转换器等。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。