掺杂GaN纳米线制备技术

　　本书共分9章，主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征，分析了AIN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的 工艺，以便读者 好地了解本书的内容。本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。

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1 绪论
1.1 纳米材料概述
1.2 GaN材料概述
1.2.1 物理性质
1.2.2 化学性质
1.2.3 电学性质
1.2.4 光学特性
1.3 GaN纳米线的合成方法
1.3.1 分子束外延法
1.3.2 金属有机化学气相沉积法
1.3.3 氢化物输运气相外延生长法
1.3.4 模板限制生长法
1.3.5 激光烧蚀法
1.3.6 氧化物辅助生长法
1.3.7 化学气相沉积法
1.3.8 溶胶-凝胶法
1.4 纳米线的生长机制
1.4.1 气-液-固机制
1.4.2 气-固机制
1.4.3 GaN纳米线表征与性能测试方法
1.5 场发射理论
1.5.1 经典F-N理论
1.5.2 半导体场致电子发射
1.5.3 相关概念
参考文献
2 P掺杂GaN纳米线的制备及性能
2.1 实验原料
2.2 衬底的处理
2.3 实验步骤及形貌分析
2.3.1 基本实验步骤
2.3.2 不同氨化温度对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.3 不同氨化时间对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.4 不同氨气流量对P掺杂GaN纳米线形貌的影响
2.3.5 不同浓度P掺杂对GaN纳米线形貌的影响
2.4 P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.1 纯净GaN纳米线的物相分析
2.4.2 掺杂源比例为1：30的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.3 掺杂质量比为1：20的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.4.4 掺杂质量比为1：10的P掺杂GaN纳米线的物相分析
2.5 P掺杂GaN纳米线的性能
2.6 P掺杂GaN纳米的生长机制分析
参考文献
3 Te掺杂GaN纳米线的制备及性能
3.1 实验方法及设备
3.2 实验过程
3.3 样品的表征与分析
3.3.1 样品的表征方法
3.3.2 GazOg和Te质量比对纳米线的影响
3.3.3 反应温度对纳米线的影响
3.3.4 Te掺杂GaN纳米线的Raman分析