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半导体集成电路(第二版)

半导体集成电路(第二版)

作者:余宁梅,杨媛,郭仲杰

出版社:科学出版社

出版时间:2023-08-01

ISBN:9787030759580

定价:¥69.00

内容简介
  本书在简述半导体集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后,以“器件工艺电路应用”为主线,首先介绍半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理,然后重点讨论数字集成电路中组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件, 介绍模拟集成电路中的关键电路和数模、模数转换电路。《BR》本书以问题为导向,在每一章节开始设置了启发性问题,并以二维码方式给出了关键章节的预习教学视频。全书内容系统全面,叙述深入浅出,易于自学。配备了器件彩色三维结构图,读者可以通过扫描二维码进行查看。
作者简介
暂缺《半导体集成电路(第二版)》作者简介
目录
第1章 绪论
1.1 半导体集成电路的概念
1.1.1 半导体集成电路的基本概念
1.1.2 半导体集成电路的分类
1.2 半导体集成电路的发展过程
1.3 半导体集成电路的发展规律
1.4 半导体集成电路面临的问题
1.4.1 深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
1.4.2 深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
1.4.3 深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
技术拓展:Chiplet(芯粒)
基础习题
高阶习题
第2章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
2.1 双极集成电路的制造工艺
2.1.1 双极型晶体管的单管结构和工作原理
2.1.2 双极集成晶体管的结构与制造工艺
2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应
技术拓展:BCD工艺
基础习题
高阶习题
第3章 MOS集成电路中晶体管的形成及其寄生效应
3.1 MOSFET晶体管的结构及制造工艺
3.1.1 MOSFET晶体管器件结构与工作原理
3.1.2 MOSFET晶体管的制造工艺
3.2 CMOS集成电路的制造工艺
3.2.1 n阱CMOS工艺
3.2.2 p阱CMOS工艺
3.2.3 双阱CMOS工艺
3.3 MOS集成电路中的有源寄生效应
3.3.1 场区寄生MOSFET
3.3.2 寄生双极型晶体管
3.3.3 CMOS集成电路中的闩锁效应
3.4 深亚微米CMOS集成电路工艺
技术拓展: 缘体上硅技术
基础习题
高阶习题
第4章 集成电路中的无源元件
4.1 集成电阻器
4.1.1 双极集成电路中常用的电阻
4.1.2 MOS集成电路中常用的电阻
4.2 集成电容器
4.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器
4.2.2 MOS集成电路中常用的电容器
4.3 互连线
4.3.1 多晶硅互连线
4.3.2 扩散层连线
4.3.3 金属互连线
技术拓展:修调技术
基础习题
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