半导体集成电路（第二版）

　　本书在简述半导体集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后，以“器件工艺电路应用”为主线，首先介绍半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理，然后重点讨论数字集成电路中组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件， 介绍模拟集成电路中的关键电路和数模、模数转换电路。《BR》本书以问题为导向，在每一章节开始设置了启发性问题，并以二维码方式给出了关键章节的预习教学视频。全书内容系统全面，叙述深入浅出，易于自学。配备了器件彩色三维结构图，读者可以通过扫描二维码进行查看。

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第1章 绪论
1.1 半导体集成电路的概念
1.1.1 半导体集成电路的基本概念
1.1.2 半导体集成电路的分类
1.2 半导体集成电路的发展过程
1.3 半导体集成电路的发展规律
1.4 半导体集成电路面临的问题
1.4.1 深亚微米集成电路设计面临的问题与挑战
1.4.2 深亚微米集成电路性能面临的问题与挑战
1.4.3 深亚微米集成电路工艺面临的问题与挑战
技术拓展：Chiplet（芯粒）
基础习题
高阶习题
第2章 双极集成电路中的元件形成及其寄生效应
2.1 双极集成电路的制造工艺
2.1.1 双极型晶体管的单管结构和工作原理
2.1.2 双极集成晶体管的结构与制造工艺
2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应
技术拓展：BCD工艺
基础习题
高阶习题
第3章 MOS集成电路中晶体管的形成及其寄生效应
3.1 MOSFET晶体管的结构及制造工艺
3.1.1 MOSFET晶体管器件结构与工作原理
3.1.2 MOSFET晶体管的制造工艺
3.2 CMOS集成电路的制造工艺
3.2.1 n阱CMOS工艺
3.2.2 p阱CMOS工艺
3.2.3 双阱CMOS工艺
3.3 MOS集成电路中的有源寄生效应
3.3.1 场区寄生MOSFET
3.3.2 寄生双极型晶体管
3.3.3 CMOS集成电路中的闩锁效应
3.4 深亚微米CMOS集成电路工艺
技术拓展： 缘体上硅技术
基础习题
高阶习题
第4章 集成电路中的无源元件
4.1 集成电阻器
4.1.1 双极集成电路中常用的电阻
4.1.2 MOS集成电路中常用的电阻
4.2 集成电容器
4.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器
4.2.2 MOS集成电路中常用的电容器
4.3 互连线
4.3.1 多晶硅互连线
4.3.2 扩散层连线
4.3.3 金属互连线
技术拓展：修调技术
基础习题