不同形貌GaN纳米线制备技术

　　本书共分10章，主要内容包括塔形、铅笔形、三维分支结构、Se掺杂、螺旋形、直和绳形、竹叶形GaN纳米线的制备工艺与性能测试及制备工艺对GaN纳米线取向的影响，此外，还介绍了BN包覆GaN纳米线和InN包覆GaN纳米线的制备及表征。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，每章内容融会贯通、分类叙述，讲述了不同形貌GaN纳米线的制备技术及制备工艺的影响。本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类专业本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书。

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1 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料简介
1.2.1 纳米材料概述
1.2.2 纳米材料的特性
1.3 GaN材料性质
1.3.1 物理性质
1.3.2 化学性质
1.3.3 电学性质
1.3.4 光学性质
1.4 GaN纳米线的合成方法
1.4.1 分子束外延法
1.4.2 金属有机化学气相沉积法
1.4.3 氢化物输运气相外延生长法
1.4.4 模板限制生长法
1.4.5 激光烧蚀法
1.4.6 氧化物辅助生长法
1.4.7 化学气相沉积法
1.4.8 溶胶-凝胶法
1.5 纳米线的生长机制
1.5.1 气-液-固机制
1.5.2 气-固机制
1.6 场发射简介
1.6.1 功函数
1.6.2 场增强因子
1.6.3 场发射阴极材料研究进展
1.7 GaN纳米材料研究进展
1.7.1 GaN材料实验研究进展
1.7.2 GaN材料理论研究进展
1.7.3 GaN纳米材料场发射研究进展
1.8 GaN纳米材料表征与性能测试
1.8.1 扫描电子显微镜
1.8.2 X射线衍射
1.8.3 透射电子显微镜和选区电子衍射
1.8.4 光致发光谱
1.8.5 X射线光电子能谱技术
参考文献
2 塔形和铅笔形GaN纳米线的制备及性能
2.1 引言
2.2 塔形GaN纳米线的制备
2.2.1 塔形GaN纳米线的制备过程
2.2.2 工艺条件对制备塔形GaN纳米线的影响
2.2.3 塔形GaN纳米线XRD表征
2.2.4 塔形GaN纳米线SEM表征
2.2.5 塔形GaN纳米线TEM表征
2.2.6 塔形GaN纳米线生长机理分析
2.3 塔形GaN纳米线性能测试
2.3.1 塔形GaN纳米线光致发光谱分析
2.3.2 塔形GaN纳米线拉曼光谱分析
2.3.3 塔形GaN纳米线场发射性能分析