InAs/AlSb 异质结型射频场效应晶体管技术

　　与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体（ABCS）器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，在高速、低功耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。特别在深空探测方面，InAs/AlSb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器（LNA）的候选核心器件具有无可比拟的优势。因此，本文针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究，在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方面进行了较为深入的探讨。本书在体系上力求合理完整，可作为高等院校的微电子技术相关专业本科和研究生的科研参考资料，可作为电子制造工程师的参考书和微电子封装企业职工教育培训的教材。

　　关赫，博士，硕士研究生导师。毕业于西安电子科技大学，长期从事微电子集成电路方向研究，主持多项重量及省部级项目，发表论文10余篇，申请专利10余项，具有丰富的研发管理经验。

暂缺《InAs/AlSb 异质结型射频场效应晶体管技术》目录