锑基红外探测器

　　本书聚焦锑基红外探测器技术的概念与发展，完整介绍了锑基红外材料的特点、锑基及二类超晶格红外探测器、势垒型及级联红外光电探测器、探测器对红外辐射进行耦合等内容，阐述了作为碲镉汞三元合金探测器替代技术的锑基红外探测器的器件结构与设计、铟砷锑三元合金材料和二类超晶格材料在红外焦平面阵列的应用前景等内容，进行了锑基红外探测器与碲镉汞红外探测器的性能比较。

　　喻松林，中国电子科技集团公司光电子领域集团首席专家，研究员，长期从事红外成像、光电探测及红外探测器技术研究工作，在我国武器型号装备用碲镉汞二代红外焦平面探测器、三代红外焦平面探测器、机载远程红外预警专用探测器、航天应用超长线列及超大面阵红外探测器等方面有着系统、深入研究，是国家核高基科技重大专项“三代红外焦平面”课题技术总师、国家科技部“光电子及微电子器件及集成”重点研发计划总体组专家。

前言致谢第1章红外探测器特征 1.1 简介1.2 红外探测器分类1.3 探测器的优值 1.4 探测器的性能基本限制1.5 焦平面阵列的性能 第2章锑基材料2.1 体材料2.2 外延层2.3 物理性质2.4 热产生-复合过程第3章 II类超晶格3.1 带隙工程红外探测器 3.2 II类超晶格的生长 3.3 物理特性3.4 载流子寿命3.5InAsGaSb与InAsInAsSb超晶格系统比较第4章锑基红外光电二极管4.1 二元III-V族光电二极管的最新进展4.1.1 InSb光电二极管4.1.2 InAs光电二极管4.1.3 InAs雪崩光电二极管4.2 InAsSb体材料光电二极管第5章 II类超晶格红外光电二极管5.1InAsGaSb超晶格光电二极管5.2InAsInAsSb超晶格光电二极管 5.3 器件钝化5.4 II类超晶格光电探测器的噪声机制第6章红外势垒光电探测器6.1 工作原理6.2 SWIR势垒探测器6.3 MWIRInAsSb势垒探测器6.4 LWIRInAsSb势垒探测器6.5 T2SL势垒探测器6.6 势垒探测器与HgCdTe光电二极管比较6.7 多色势垒探测器第7章级联红外光电探测器 7.1 多级红外探测器7.2 II类超晶格带间级联红外探测器7.2.1 工作原理7.2.2 MWIR带间级联探测器7.2.3 LWIR带间级联探测器7.3 与HgCdTe HOT光电探测器性能比较第8章探测器对红外辐射进行耦合 8.1 标准耦合8.2 等离子体耦合8.2.1表面等离子体8.2.2 红外探测器的等离子体耦合8.3陷光探测器第9章焦平面阵列9.1 红外焦平面阵列的发展趋势9.2 红外FPA的考虑9.3 InSb阵列9.4 InAsSbnBn探测器FPA9.5 II类超晶格FPA第10章最后的评述10.1 P-on-nHgCdTe光电二极管10.2 焦平面阵列的可制造性10.3 结论索引作者介绍