《砷钼基功能配合物》共5章，按照砷钼基功能配合物的结构类型，分别介绍{As2Mo6}型功能配合物、{As6MO6}型功能配合物、{As2Mo18}型功能配合物和{As3MO8V4}型功能配合物。比较系统地介绍了每种砷钼基功能配合物的结构特点和制备方法，总结了合成规律，并介绍了四类砷钼基功能配合物的荧光、光催化、电化学以及电催化等性质。《砷钼基功能配合物》可供相关领域科研人员使用。

本书是B·K·伐因斯坦（主编）与A·A·契尔诺夫和L·A·苏伏洛夫主持编写的4卷本巨著《现代晶体学》中的第4卷.本书由有名学者L·A·苏伏洛夫牵头的8位专家共同编写.本书是一本关于晶体物理性质基本概念、理论和技术的有名著作，着重从晶体学基础的角度来编排内容，对晶体物理性质的理论和实践进行了全面、系统的介绍，对广大读者有重要的参考价值.全书共8章，全面、系统地介绍晶体物理性质的张量理论基础和晶体的力学性质、电学性质、磁学性质、半导体性质、光学性质、输运性质以及液晶.本书可作为固体物理、材料科学、晶体学、金属学、矿物学、化学等专业的教师、研究生、大学生的教材或教学参考书，并可供有关专业的科技人员参考.

本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程，着重讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应等问题做了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统中的的生长动力学采用统一的观点加以阐述。本书是一本全面论述晶体生长理论的专著，既可作为高等院校学生和研究有关晶体生长课程的教科书或教学参考书，也可作为相关科技人员的参考读物。

《晶体生长中输运现象及晶体缺陷》是作者在十多年来从事晶体生长和工程热物理交叉领域研究的基础上编写的。《晶体生长中输运现象及晶体缺陷》首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，详细讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，《晶体生长中输运现象及晶体缺陷》进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。

《固态相变动力学及晶体学/上海交通大学致远荣誉计划教材》主要介绍固态相变动力学及晶体学的基本原理和现代进展。前三章为固态相变的普及性内容，是阅读后续章节的基础知识。中间五章是相变动力学的核心内容，分别阐述动力学的基本理论、均匀相变和非均匀相变的动力学特征。后一章是相变晶体学，通过矩阵代数对马氏体和扩散型相变晶体学模型及研究进展进行了归纳。《固态相变动力学及晶体学/上海交通大学致远荣誉计划教材》可作为材料学专业的研究生教材，也可供本专业和相关专业的师生及科技人员参考。

本书是B·K·伐因斯坦（主编）、A·A·契尔诺夫和L·A·舒瓦洛夫主持编写的《现代晶体学》4卷本中的第3卷，本书的主要作者是A·A·契尔诺夫，参加编写的还有其他5位专家。本书由结晶过程和晶体生长两大部分组成。第一部分包含的内容有：平衡、成核和外延、生长机制、杂质、质量和热输运、生长外形及其稳定性、缺陷的产生和团块结晶等；第二部分介绍气相生长、溶液生长和熔体生长。本书可作为固体物理、材料科学、晶体学、金属学、矿物学、化学等专业的教师、研究生、大学生的教材或教学参考书，并可供有关科技人员参考。

《晶体光学与岩石学实验教程》是作者多年来在晶体光学与岩石学教学过程中积累的成果总结。《晶体光学与岩石学实验教程》简明系统地阐述了晶体光学与光性矿物学、岩浆岩岩石学、变质岩岩石学和沉积岩岩石学的基本实验内容和室内常用实验研究方法。

《氢键晶体压力下结构物性的研究》以几种典型的氢键有机晶体为研究对象，深入探究压力对其结构、性质的影响，从而有助于人们进一步了解氢键的物理本质，探索有机晶体各相之间的关系问题，以及通过压力调控获得具有新性质的新结构材料，为基础研究和工业研究提供一定的实验理论依据。全书主要内容包含静态高压科学、动态高压科学、计算模拟高压科学、氢键、晶体的高压研究、几种典型的氢键有机晶体的高压研究等。《氢键晶体压力下结构物性的研究》可供相关专业的研究人员借鉴、参考，也可供广大教师和学生学习使用。

晶体是粒子在三维空间中作周期性排列而构成的物体。在工业时代，晶体的人工制备展现了智力劳动创造的知识、技术与物质结合所产生的巨大力量。晶体又是一类具有特定使用性能的基础材料，在现代高技术发展中扮演着举足轻重的角色。本书表述了作者在长期实践中形成的对晶体制备研究若干重要问题的一些认识，其中包括：晶体制备研究在晶体研究体系结构中的地位；晶体制备研究范式的演进与发展；晶体制备研究相关基础知识的来源及其局限性；晶体制备研究的认知链条，以及因观测之外客体的存在所产生的容许性描述问题；晶体制备研究活动的基本规律、产出形式及状态评价的方法；晶体制备过程的能量守恒、质量守恒以及“遗传发育”问题等。在本书的末尾，作者对未来晶体制备研究的活动形态进行了一些展望。

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为（传质、传热、对流）、化学基础问题（材料的提纯与合成问题）以及物理基础（电、磁、力的作用原理）的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与**发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。