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发明专利实审答复案例精选
作者:李文红,吴敏 著
出版社:知识产权出版社
出版时间:2022-07-01
ISBN:9787513081214
定价:¥46.00
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内容简介
本书从“实战”出发,将逻辑推导、法律依据等作为发明专利实审答复中的核心要素,借助不同案例,对发明专利实质审查过程中遇到的不同问题,从新颖性、创造性及其他问题三个方面结合具体专利法规进行分析,并对如何修改及意见答复提出合适的处理方式。
作者简介
李文红, 2000年开始从事知识产权工作。作为北京市集佳律师事务所的高级合伙人,参与创办上海分所。为多家业内领先企业处理专利国内外申请、专利侵权诉讼、专利复审无效等事务,为多家行业协会、企业、政府部门等出具知识产权咨询报告。参与国家社会科学基金项目和国家自然科学基金项目多项,负责九三学社上海市委重点课题多项。合著有《3D打印产业的知识产权问题研究》,作为主要主编或者主译已合作出版编著和译著五部,发表多篇专业文章。担任上海市法学会知识产权法研究会理事,上海市知识产权民事纠纷专业调解委员会调解员,同济大学中欧创新政策与法律研究中心兼职研究员,上海大学法学院知识产权应用研究中心特邀研究员,华东政法大学、上海交通大学凯原法学院法律硕士兼职导师,华东师范大学上海国际首席技术官学院产业导师。 吴敏, 2006年加入集佳,开始从事知识产权工作,在半导体、光电及机械领域的专利代理事务方面积累丰富经验。从业期间处理过专利申请、专利复审无效、专利检索分析等事务;为多家企业提供知识产权咨询服务,帮助客户进行技术挖掘、专利布局等,协助客户了解行业*新技术动态及发展趋势以制定专利战略;曾应邀为企业及高校提供专利方面的培训,并在《知识产权战略与实务》发表文章《从复审案例谈专利创造性评价中的事实认定》,在公司期刊发表文章《结合案例谈公知常识相关审查意见的答复》。现担任上海大学法学院知识产权应用研究中心特邀研究员,上海应用技术大学中欧知识产权学院兼职教授。
目录
目 录
第一章
涉及新颖性问题的答复案例
第一节 新颖性的判断
案例1互连结构及其制造方法
第二节 关于新颖性评价中抵触申请的问题
案例2 LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
第三节 新颖性评价中区别技术特征的认定
案例3封装结构及其封装方法
第二章涉及创造性问题的答复案例
第一节 公知常识或惯用技术手段
案例4掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互连结构的形成方法
案例6半导体结构及其形成方法
案例7晶体管的形成方法
第二节 技术方案的理解
案例8半导体器件及其形成方法
案例9半导体结构的形成方法
案例10驱动电路的数据维持方法和装置
案例11 MOCVD设备的喷淋头及其制作方法
案例12半导体互连结构及形成方法
案例13半导体器件的制造方法
第三节 区别技术特征或技术特征的认定
案例14自对准多重图形的形成方法
案例15压力传感器及其形成方法
案例16半导体器件
案例17半导体器件及其形成方法
案例18半导体结构及其形成方法
案例19金属互连层的制造方法
案例20多指条形GGNMOS
案例21铜互连线的形成方法和介质层的处理方法
案例22光学指纹传感器和电子产品
案例23非接触通信装置
案例24重复利用半导体芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圆结构
第四节 是否存在技术启示
案例26制作浅沟槽隔离结构的方法
案例27互连结构及其形成方法
案例28互连结构的形成方法
案例29半导体器件的形成方法
案例30封装结构及其形成方法
案例31导电结构的形成方法
案例32介质层的形成方法
案例33清洗焊盘的方法
案例34鳍式场效应管的形成方法及半导体结构
案例35P型MOS晶体管及其形成方法
案例36等效信道矩阵计算方法及装置
案例37知识检索方法及装置、存储介质、服务器
第五节 方法限定结构及功能性限定
案例38鳍式场效应管及其形成方法
案例39指纹成像模组和电子设备
案例40射频发射电路、发射机及用户终端
第三章 涉及其他问题的答复案例
第一节 有关《专利法》第26条第4款
案例41半导体结构及其形成方法
案例42电子设备
案例43半导体结构及其形成方法
案例44半导体器件的形成方法
第二节 缺少解决技术问题的必要技术特征
案例45液晶显示装置的显示方法
参与编撰人员简介
第一章
涉及新颖性问题的答复案例
第一节 新颖性的判断
案例1互连结构及其制造方法
第二节 关于新颖性评价中抵触申请的问题
案例2 LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
第三节 新颖性评价中区别技术特征的认定
案例3封装结构及其封装方法
第二章涉及创造性问题的答复案例
第一节 公知常识或惯用技术手段
案例4掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
案例5互连结构的形成方法
案例6半导体结构及其形成方法
案例7晶体管的形成方法
第二节 技术方案的理解
案例8半导体器件及其形成方法
案例9半导体结构的形成方法
案例10驱动电路的数据维持方法和装置
案例11 MOCVD设备的喷淋头及其制作方法
案例12半导体互连结构及形成方法
案例13半导体器件的制造方法
第三节 区别技术特征或技术特征的认定
案例14自对准多重图形的形成方法
案例15压力传感器及其形成方法
案例16半导体器件
案例17半导体器件及其形成方法
案例18半导体结构及其形成方法
案例19金属互连层的制造方法
案例20多指条形GGNMOS
案例21铜互连线的形成方法和介质层的处理方法
案例22光学指纹传感器和电子产品
案例23非接触通信装置
案例24重复利用半导体芯片的方法
案例25芯片及其制造方法、晶圆结构
第四节 是否存在技术启示
案例26制作浅沟槽隔离结构的方法
案例27互连结构及其形成方法
案例28互连结构的形成方法
案例29半导体器件的形成方法
案例30封装结构及其形成方法
案例31导电结构的形成方法
案例32介质层的形成方法
案例33清洗焊盘的方法
案例34鳍式场效应管的形成方法及半导体结构
案例35P型MOS晶体管及其形成方法
案例36等效信道矩阵计算方法及装置
案例37知识检索方法及装置、存储介质、服务器
第五节 方法限定结构及功能性限定
案例38鳍式场效应管及其形成方法
案例39指纹成像模组和电子设备
案例40射频发射电路、发射机及用户终端
第三章 涉及其他问题的答复案例
第一节 有关《专利法》第26条第4款
案例41半导体结构及其形成方法
案例42电子设备
案例43半导体结构及其形成方法
案例44半导体器件的形成方法
第二节 缺少解决技术问题的必要技术特征
案例45液晶显示装置的显示方法
参与编撰人员简介
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