极紫外光刻

　　《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的最新专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模版、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。最后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

　　哈利•杰•莱文森（Harry J.Levinson），国际光学工程学会（SPIE）会士，HJL Lithography 的独立光刻顾问和首席光刻师，专注于光刻领域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM担任过职位。曾将光刻应用于许多不同的技术，包括双极存储器、64MB和256MB DRAM开发、专用集成电路芯片制造、磁记录薄膜磁头、闪存和先进逻辑芯片等。曾数年担任美国光刻技术工作组主席，参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节。他是硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一，也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者；撰写的著作还有：《光刻工艺控制》《光刻原理》，拥有70多项美国专利。高伟民，阿斯麦公司（ASML）中国区技术总监，资深的光刻技术专家。获浙江大学光学工程学士学位和比利时鲁汶大学物理学硕士、博士学位，先后就职于比利时微电子研发中心（IMEC）和美国新思科技（Synopsys）。专注光刻技术研发，浸润先进光刻技术研发20年，参与了从0.13μm到5nm节点的多世代芯片光刻技术开发，拥有15年极紫外光刻技术研发的丰富经验。还在各种国际期刊和会议上发表了100多篇论文，担任多个国际会议组委并多次作邀请演讲。

第1章 绪论
1.1  光刻技术的历史背景/1 
1.2  光刻技术的组成部分 /3 
1.3  材料考量和多层膜反射镜/4 
1.4  一般性问题 /11 
习题/12 
参考文献/12
第2章  EUV光源
2.1  激光等离子体光源/15 
2.2  放电等离子体光源/28 
2.3  自由电子激光器/32 
习题/36 
参考文献/36
第3章  EUV光刻曝光系统
3.1  真空中的EUV光刻/40 
3.2  照明系统 /45 
3.3  投影系统/47 
3.4  对准系统/52 
3.5  工件台系统/53 
3.6  聚焦系统 /54 
习题/55 
参考文献/56
第4章  EUV掩模
4.1  EUV掩模结构/60 
4.2  多层膜和掩模基板缺陷/66 
4.3  掩模平整度和粗糙度/71 
4.4  EUV掩模制作/74 
4.5  EUV掩模保护膜/75 
4.6  EUV掩模放置盒/83
4.7  其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85 
习题/88 
参考文献/88
第5章  EUV光刻胶
5.1  EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95 
5.2  EUV光刻中的随机效应/98 
5.3  化学放大光刻胶的新概念/108 
5.4  金属氧化物EUV光刻胶/110 
5.5  断裂式光刻胶/111 
5.6  真空沉积光刻胶/111 
5.7  光刻胶衬底材料/113 
习题/114 
参考文献/115
第6章  EUV计算光刻
6.1  传统光学邻近校正的考量因素/121 
6.2  EUV掩模的三维效应/125 
6.3  光刻胶的物理机理/133 
6.4  EUV光刻的成像优化/135 
习题/138 
参考文献/139
第7章  EUV光刻工艺控制
7.1  套刻/144
7.2  关键尺寸控制/149 
7.3  良率 / 151 
习题/155 
参考文献/156
第8章  EUV光刻的量测
8.1  掩模基板缺陷检测/160 
8.2  EUV掩模测评工具/163 
8.3  量产掩模验收工具/165 
8.4  材料测试工具/168 
习题/169 
参考文献/170
第9章  EUV光刻成本
9.1  晶圆成本 /173 
9.2  掩模成本/181 
习题/182 
参考文献/182
第10章 未来的EUV光刻
10.1  k【能走多低/184 
10.2  更高的数值孔径/186 
10.3  更短的波长/193 
10.4  EUV多重成形技术/194 
10.5  EUV光刻的未来/195 
习题/195 
参考文献/196
索 引