太阳电池光电器件研究：氧化锌同质p-n结制备与表征

　　本书介绍了通过调控氧化锌的导电特性，可控地制备出电子导电和空穴导电的n型和p型半导体薄膜材料，并系统展示了硅基衬底上氧化锌同质p-n结的结构、光学和电学特性。研究表明，采用在氧化锌器件结构中插入ZnMgO（简称ZMO）多量子势垒层这一技术会明显地提高穿过结界面的载流子浓度和电子传输速率，初步解决了氧化锌基发光器件的高增益问题，为氧化锌p-n结器件的应用提供了一个可行的技术方案。本书可供新能源、新材料、半导体领域研究开发人员参考。

　　杨景景，常州工学院，副教授，主要从事氧化物光电材料的制备及p-n结、薄膜晶体管和硅基表面氧化物生长的研究，发表国内外学术论文十余篇，申请发明专利10项，主持国家自然科学基金委项目和常州市科技计划项目。

第1章 绪论
1.1 ZnO的基本性质
1.2 p型ZnO薄膜的制备与相关理论
1.2.1 ZnO的本征缺陷
1.2.2 ZnO的p型掺杂
1.3 ZnO的量子阱与超晶格结构
1.3.1 量子阱与超晶格的基本概念
1.3.2 量子阱与超晶格的能带模型
1.3.3 量子阱的激子与超晶格内部的电子运动
1.3.4 ZnO基量子阱与超晶格
1.4 ZnO的结器件研究进展
1.4.1 发光二极管（LED）
1.4.2 激光二极管（LD）
1.4.3 光敏探测器
1.5 本书的研究内容及意义
第2章 ZnOp-n结器件的PLD制备方法及相关测试技术
2.1 脉冲激光沉积概述
2.2 脉冲激光沉积原理
2.3 脉冲激光沉积系统
2.4 相关表征技术
2.4.1 X射线衍射（XRD）
2.4.2 电学性能测试
2.4.3 扫描电镜（SEM）
2.4.4 光致发光谱（PL）
2.4.5 紫外可见分光光度计（UV-Vis Spectroscopy）
2.5 主要工艺过程
2.5.1 靶材制备过程
2.5.2 衬底的选择和清洗
2.5.3 薄膜的制备
第3章 ZnO/ZMO薄膜的研究
3.1 制备与表征
3.1.1 ZnO/ZMO薄膜样品靶材的制备
3.1.2 ZnO/ZMO薄膜的制备与表征
3.2 ZnO/ZMO组分与微结构
3.2.1 ZnO/ZMO样品组分确定
3.2.2 ZnO/ZMO样品微结构分析
3.3 ZnO/ZMO薄膜的光学性能
3.3.1 ZnO/ZMO薄膜吸收谱分析
3.3.2 ZnO/ZMO薄膜光致发光谱分析
3.4 ZnO/ZMO薄膜的电学性能
3.5 本章总结
第4章 ZnMgO多量子势垒
4.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备与表征
4.1.1 ZnMgO多量子势垒薄膜靶材的制备
4.1.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的制备
4.2 ZnMgO多量子势垒样品的微结构分析
4.2.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的微结构分析
4.2.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的电镜分析
4.3 ZnMgO多量子势垒薄膜的光学性能
4.3.1 ZnMgO多量子势垒薄膜的吸收谱分析
4.3.2 ZnMgO多量子势垒薄膜的光致发光谱分析
4.4 ZnMgO多量子势垒薄膜的电学性能
4.5 本章总结
第5章 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结器件性能的提升
5.1 两种ZnO p-n结器件的制备
5.1.1 靶材的制备
5.1.2 ZnO p-n结器件H与内嵌ZnMgO量子势垒ZnO p-n结Q器件的制备
5.2 H与Q系列微结构的比较分析
5.2.1 H与Q系列XRD图谱比较
5.2.2 Q系列XRD图谱比较
5.3 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的光增益
5.3.1 H与Q系列吸收谱的测试分析
5.3.2 H与Q系列光致发光谱测试的测试分析
5.4 ZnMgO多量子势垒对ZnO p-n结的电学特性提升
5.4.1 电极制备的具体说明
5.4.2 I-V曲线测试
5.4.3 Q系列反向击穿电压的分析
5.5 霍尔效应测试
5.6 Q系列样品的能带结构分析
5.7 关于Q1的霍尔效应测试的讨论
5.8 本章总结
第6章 总结及展望
6.1 总结
6.2 展望
参考文献