CMOS

　　CMOS是集成电路的基本单元，其设计和结构经历了数十年的进化历程，始终遵从了摩尔定律。作为关于CMOS器件和制造的专业书籍，本书内容涵盖了CMOS器件的发展历史、技术现状和未来发展趋势，对于过去20年中进入量产的关键技术模块给出了较为系统和深入的讨论。

　　[瑞典]Henry H.Radamson：欧洲科学院院士，中科院微电子研究所“千ren计划”特聘专家、研究员，国家高层次人才专家。2011年和2018年两次获得瑞典先进IR技术创新奖；Springer-Nature 期刊编辑，Nanomaterials 客座编辑。 罗军：中国科学院微电子研究所研究员，中国科学院大学岗位教授、博士生导师、集成电路先导工艺研发中心副主任，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院FDSOI创新中心主任。SCI期刊Journal of Materials Science： Materials in Electronics副主编，2019年入选中科院青促会优秀会员。 [比利时]Eddy Simoen：比利时欧洲微电子研发中心（IMEC）高级研究员，中科院微电子研究所客座教授，根特大学兼任教授。国际电化学学会会士，曾任EDS荷比卢分会主席和多个国际学术会议分会场主席和会议论文集主编。 赵超：中国国籍，（为作者之一，详见译者简介。）

第 1章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累积
1.2.2 耗尽
1.2.3 反型
1.2.4 强反型
1.3 MOSFET的品质因数
1.4 MOSFET器件结构的演变
1.5 小结
参考文献
第2章器件结构小型化和演化进程
2.1 引言
2.2 尺寸和结构的缩放
2.2.1 缩放原则
2.2.2 器件结构的影响
2.2.3 无结型晶体管
2.3 光刻
2.3.1 增强分辨率
2.3.2 二次图形化技术
2.3.3 极紫外光刻技术
2.3.4 掩模增强技术
2.4 电子束光刻
2.5 应变工程
......
第8 章先进互连技术及其可靠性
8.1 引言
8.2 铜互连集成
8.2.1 大马士革工艺
8.2.2 铜电阻随互连微缩的变化
8.2.3 新型铜互连集成方案
8.3 low-k 介质特征和分类
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分类和表征
8.3.3 low-k介质集成挑战
8.3.4 气隙在互连中的实现
8.4 铜与硅和介质的相互作用
8.4.1 铜与硅的相互作用
8.4.2 铜与介质的相互作用
8.5 金属扩散阻挡层
8.5.1 金属间阻挡层的材料选择
8.5.2 金属扩散阻挡层的沉积
8.6 铜金属化的可靠性
8.6.1 电迁移基础理论
8.6.2 应力致空洞化
8.7 先进金属间介质的可靠性
8.7.1 金属间介质的漏电机理
8.7.2 金属间介质的击穿特性
8.8 可靠性统计和失效模型
8.8.1 概率分布函数
8.8.2 击穿加速模型
8.9 未来的互连
8.10 小结
参考文献
后记
原著致谢