硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究

　　本书为英文图书，研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响，讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓—硅合金的途径，很终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅（111）衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。作者在优化过程中发现了非晶氮化硅薄层在镓/硅扩散中的阻挡缓冲作用，并利用此缓冲层优化了氮化铝镓的外延生长，很终实现了总厚度高达1.4μm氮化镓和氮化铝镓无裂纹外延层的生长。作者在研究中，利用优化生长的外延层，成功地在硅衬底上生长了应用于紫外光电探测器的多层结构，并详细研究了器件尺寸对紫外光响应性的影响；利用优化的紫外探测器机构，获得了应用于紫外/红外双波段光电探测器的多层结构并取得了0.01 A/W紫外光电响应和在4.52μm波长峰值上的近红外光电响应。书稿对这些研究过程与结果做了学理性阐释。

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