军用电子元器件领域科技发展报告

　　军用电子元器件在新军事变革与武器装备信息化、智能化发展中发挥着极为重要的作用，发达国家已将电子元器件视为重要战略资源，积极推动电子元器件技术特别是前沿技术的发展，以维持或加大武器装备技术的“代差”优势，掌握未来战争主动权。为帮助广大读者全面、深入地了解军用电子元器件技术发展的新动向，我们组织中国电子科技集团公司第十一研究所、第十二研究所、第十三研究所、第四十九研究所等专业研究所，以及中国科学院半导体研究所、中国工程物理研究院应用电子学研究所、中国兵器工业集团第二一一研究所、中国久远高新技术装备公司、全球能源互联网研究院、北京邮电大学等有关单位研究人员，共同编撰了《军用电子元器件领域科技发展报告》。《军用电子元器件领域科技发展报告》由综合动向分析、重要专题分析、附录三部分构成。综合动向分析部分对2017年军用微电子、光电子、真空电子、传感器、电能源、抗辐照等重点领域器件与技术发展情况进行了分析和归纳；重要专题分析部分从元器件领域选取16个重点和热点问题进行了比较深入的分析和研究；附录对2017年军用电子元器件重点领域的重大或重要事件进行了简述。

暂缺《军用电子元器件领域科技发展报告》作者简介

综合动向分析
2017年军用电子元器件领域科技发展综述
2017年微电子器件发展综述
2017年光电子器件发展综述
2017年电能源发展综述
2017年抗辐射加固器件发展综述
2017年微电子器件技术发展综述
2017年光电子器件技术发展综述
2017年电能源技术发展综述
2017年抗辐射加固器件技术发展综述
2017年真空电子器件与技术发展综述
2017年传感器器件与技术发展综述
重要专题分析
半导体金刚石材料和器件研究现状
石墨烯一硅光电子器件发展现状和前景
军用非制冷红外成像机芯组件发展现状与趋势
兆瓦级激光器研究进展与技术挑战
发展新一代真空电子器件
美国在功能芯片上实现计算与存储集成
美国定向自组装芯片图形化工艺突破10纳米
美国电子束光刻工艺达1纳米量级
世界首个集成硅光子学神经网络硬件诞生
单片量子点一石墨烯CMOS图像传感器实现宽波段成像
超表面结构开辟光波导模式转换新途径
MEMS红外光源有望实现更新换代
微纳光机电传感技术
DARPA启动“电子复兴”计划
DARPA“近零功率射频和传感器”项目研究进展
附录
2017年军用电子元器件领域科技发展大事记