低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理

　　《低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理》系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括7章：第1章为本书概述；第2章详细地介绍了*一性原理方法；第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理。

　　陈国祥，男，1979年3月出生，博士，副教授（校聘教授岗位），硕士研究生导师，“新型半导体光电子材料及器件”青年科研创新团队带头人。西安石油大学“青年拔尖人才”，陕西省“青年科技新星”，国家自然科学基金项目同行评议专家，陕西省物理学会会员。2015年起享受陕西省“三秦人才”政府津贴。2015年1月至2016年1月在美国佛罗里达大学物理系进行合作科学研究（访问学者）。王豆豆， 2012年毕业于中国科学院西安光学精密机械研究所，获理学博士学位，现为西安科技大学理学院教师。主要从事纳米聚合物材料结构和物性的理论研究。曾作为主要参与者承担了国家自然科学基金项目“光学聚合物/二氧化钛有序结构化新材料的设计、制备及应用基础研究”的大部分研究工作。曾获陕西省高等学校科学技术一等奖。合作出版教材4部，先后发表学术论文10篇，其中SCI收录8篇，EI收录2篇。

第1章 概述
第2章 理论计算基础
第3章 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性
第4章 GaN纳米带的结构和电子性质
第5章 过渡金属吸附二维GaN单层纳米片的电子结构和磁性
第6章 过渡金属掺杂GaN单层纳米片磁性起源机理
第7章 二维GaN/SiC纳米片: 界面电子和磁学特性以及电场响应