碳化硅\硅纳米异质结阵列的制备和物性研究

　　《碳化硅\\硅纳米异质结阵列的制备和物性研究》对碳化硅/硅纳米异质结阵列的制备和物性进行了研究.主要内容包括SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备、SiC/Si-VPA的场致发射性能研究、SiC/Si-NPA的光致发光性能研究、SiC/Si-NPA的气体传感性能研究等。《碳化硅\\硅纳米异质结阵列的制备和物性研究》结构合理.条理清晰，内容丰富新颖，是一本值得学习研究的著作，可供相关人员参考使用。

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前言
第1章 绪论
1．1 半导体材料的发展
1．2 SiC半导体的基本性质
1．3 SiC纳米材料的研究
1．4 硅基复合体系
1．5 本书的研究内容
第2章 SiC/Si-NPA纳米复合体系的制备
2．1 引言
2．2 Si-NPA的制备和表征
2．3 SiC纳米晶/Si-NPA的制备和表征
2．4 SiC纳米线/Si-NPA的制备和表征
2．5 小结
第3章 SiC/Si-NPA的场致发射性能研究
3．1 引言
3．2 nc-SiC/Si-NPA的I-V特性
3．3 nw-SiC/ Si-NPA的场发射性能
3．4 CNP/Si-NPA和CNF/Si-NPA的场发射性能
3．5 小结
第4章 SiC/Si-NPA的光致发光性能研究
4．1 引言
4．2 nw-SiC/Si-NPA的光致发光性能
4．3 nc-SiC/Si-NPA光致发光性能
4．4 小结
第5章 SiC/Si-NPA的气体传感性能研究
5．1 引言
5．2 SiC基气体传感器
5．3 SiC/Si-NPA气体传感器的制备
5．4 H2S气体传感器
5．5 湿度传感器
5．6 小结
结论与展望
参考文献
附录