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超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)

超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)

作者:吴杭生,管惟炎,李宏成 著

出版社:北京大学出版社

出版时间:2014-09-01

ISBN:9787301237595

定价:¥68.00

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内容简介
  《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》较系统地介绍第二类超导体和弱连接超导体的性质、理论和应用。全书选材偏重于实用方面,对和实际应用有关的物理问题,书中尽可能阐述清楚;对目前距离实际应用还较远或没有关系的内容,则予以略去,或者只是简单地提及。具体内容为:理想第二类超导体,非理想第二类超导体,超导材料的临界电流密度和显微结构的关系,磁通跳跃,退化和稳定方法,交流损耗,弱连接超导体,伏安曲线的阶梯结构,电磁波的产生、混频和检测,超导量子干涉器等。《超导电性:第二类超导体和弱连接超导体(重排本)》可供从事超导电性应用和实验工作的科技工作者和大学物理系低温专业师生参考。
作者简介
  吴杭生先生是物理学家1932年2月19日生于浙江杭州,籍贯安徽桐城。1953年毕业于复旦大学物理系。1956年北京大学物理系理论物理研究生毕业。1993年当选为中国科学院院士。2003年12月4日逝世。曾任中国科学技术大学教授。主要从事超导电性理论研究。
目录
一、理想第二类超导体
二、非理想第二类超导体
三、超导材料的临界电流密度和显微结构的关系
四、磁通跳跃、退化和稳定方法(一)
五、磁通跳跃、退化和稳定方法(二)
六、交流损耗
七、弱连接超导体
八、伏安曲线的阶梯结构
九、电磁波的产生、混频和检测
十、超导量子干涉器(一)
十一、超导量子干涉器(二)
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