相变存储器与应用基础

　　《相变存储器与应用基础》介绍了多种自主的新型相变材料，介绍了双沟道外延二极管等方面的内容，有望解决高密度、大容量、嵌入式PCRAM的技术难题，对于实现高密度大容量PCRAM等具有重要的学术价值和应用价值，有助于我国在信息技术领域取得突出的、有特色的进展，获得重大经济效益。《相变存储器与应用基础》对相关领域的科技人员和研究单位提供有益参考。

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第1章 绪论
1．1 半导体存储器简介
1．2 相变存储器综述
1．3 相变存储器研究现状
1．3．1 相变存储器材料研究
1．3．2 相变存储器结构研究
1．3．3 相变存储器选通器件研究
1．3．4 相变存储器芯片研究
参考文献
第2章 新型相变材料与工程化
2．1 AlxSb2Te3相变材料
2．1．1 AlxSb2Te3材料的制备和表征
2．1．2 AlxSb2Te3器件的制备和表征
2．2 AlxSb3Te相变材料
2．2．1 AlxSb3Te材料的制备和表征
2．2．2 AlxSb3Te器件的制备和表征
2．3 Al2Te3—Sb2Te3体系相变材料
2．3．1 AI2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6材料的制备和表征
2．3．2 Al2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6器件的制备和表征
2．4 快速TiSbTe相变材料
2．4．1 TiSbTe材料的制备与表征
2．4．2 TiSbTe器件的制备与表征
2．5 Si2Sb2Tex系列相变材料
2．6 SiSbTe相变材料的工程化
2．6．1 SiSbTe材料的制备与表征
2．6．2 SiSbTe器件的制备和表征
参考文献
第3章 相变材料结构与相变机理
3．1 硅掺杂Sb2Te3相变材料第一性原理计算
3．1．1 SixSb2Te3相变材料的第一性原理计算
3．1．2 Si3Sb2Te3相变材料的分子动力学模拟
3．2 低浓度铝掺杂Sb2Te3相变材料的从头算研究
3．2．1 铝掺杂锑碲相变材料的特点
3．2．2 铝掺杂锑碲相变材料的第一性原理计算研究
3．2．3 Al—Sb2Te3相变材料的分子动力学模拟与结果讨论
3．3 微观结构与相变行为研究
3．3．1 研究方法
3．3．2 相变存储材料Ge2Sb2Te5
3．3．3 相变存储材料Si2Sb2Te5
参考文献
第4章 二极管阵列器件及其高密度相变存储器
4．1 双沟道外延二极管阵列器件设计
4．1．1 相变存储器工作原理
4．1．2 二极管阵列器件设计
4．1．3 二极管阵列器件性能分析
4．2 二极管阵列器件及相变存储器芯片
4．2．1 双沟道外延二极管阵列器件
4．2．2 二极管选通的相变存储器阵列单元
4．2．3 二极管选通的相变存储器芯片
参考文献
第5章 相变存储器芯片设计
5．1 相变存储器芯片的系统框架
5．2 相变存储单元及阵列设计
5．3 控制逻辑设计
5．4 译码电路
5．5 输入输出电路
5．6 写模块电路
5．7 电流脉冲宽度可调电路
5．8 带隙基准电路
5．9 读出电路
5．10 预读校验写入算法
5．11 PCRAM芯片测试结果
参考文献
第6章 相变存储器测试与应用
6．1 相变存储器的测试概述
6．2 相变材料测试
6．3 相变存储器件测试
6．3．1 测试系统的软硬件条件
6．3．2 相变存储器初始化操作
6．3．3 非累积性擦操作测试方法
6．4 分立相变器件的标准测试流程
6．4．1 分立相变器件的标准测试流程
6．4．2 基于标准化自动测试流程的数据分析算法
6．5 相变存储阵列及存储芯片测试
6．5．1 芯片级测试系统硬件简介
6．5．2 小容量相变存储阵列的电流驱动方法
6．5．3 基于1Kb的相变存储阵列测试系统
6．6 兆位级相变存储器芯片测试方法研究
6．7 相变存储器的应用
参考文献
索引