微电子专业英语

　　本书以英文的形式介绍了微电子学和集成电路设计的相关技术。全书共分四部分：第一部分为半导体物理基础知识，包括晶格结构、能带结构、载流子浓度和输运等；第二部分介绍半导体器件物理基础理论，包括pn结、肖特基二极管、异质结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管；第三部分简要阐述半导体集成电路的设计过程和设计方法；第四部分介绍半导体集成电路的制造工艺。本书可作为高等学校微电子学、集成电路设计及相关专业的“专业英语”课程的教材，也可作为从事微电子和集成电路相关科研和工程技术人员的参考书。

暂缺《微电子专业英语》作者简介

目　录
Session 1　 Introduction to Semiconductor　　
　1.1　 What is Semiconductor　
　1.2　 Classification of Semiconductor　　
　Reading Materials　
Session 2　 Crystal Structure　　
　2.1　 Primitive Cell and Crystal Plane　　
　2.2　 Atomic Bonding　　
　Reading Materials　　
Session 3　 Band Model　　
　3.1　 Introduction to Quantum Mechanics　
　3.2　 Band　　
　3.3　 Effective Mass Theory　　
　Reading Materials　
Session 4　 The Semiconductor in Equilibrium　
　4.1　 Charge Carriers in Semiconductor　
　4.2　 Intrinsic Semiconductor　
　4.3　 Extrinsic Semiconductor　　
　Reading Materials　
Session 5　 Carrier Transport　　
　5.1　 Overview of Carrier Transport　　
　5.2　 Low Field Transport　
　5.3　 High Field Transport　　
　5.4　 Diffusion Current　　
Session 6　 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor　　
　6.1　 Recombination　　
　6.2　 Minority Carrier Lifetime　　
　6.3　 Ambipolar Transport　　
　Reading Materials
Session 7　 The pn Junction （　　Ⅰ　　）　
　7.1　 Introduction　　
　7.2　 Basic Structure of the pn Junction　　
　7.3　 Energy Bands for a pn Junction　
　7.4　 Ideal CurrentVoltage Relationship　
　7.5　 Characteristics of a Practical Diode　
　Reading Materials　　
Session 8　 The pn Junction（　　Ⅱ　　）　
　8.1　 Breakdown in pn Junction　　
　8.2　 SmallSignal Diffusion Resistance of the pn Junction　　
　8.3　 Junction Capacitance　
　8.4　 Diffusion or Storage Capacitance　
　8.5　 Diode Transients　　
　8.6　 Circuit Models for Junction Diodes　　
　Reading Materials　　
Session 9　 MetalSemiconductor Contacts　　
　9.1　 Schottky Contacts　
　9.2　 Ohmic Contacts　
　Reading Materials　　
Session 10　 Heterojunctions　　
　10.1　 Strain and Stress at Heterointerfaces
　10.2　 Heterojunction Materials　
　10.3　 EnergyBand Diagrams　　
　Reading Materials.　
Session 11　 The Bipolar Junction Transistor （　　Ⅰ　　）　
　11.1　 The Bipolar Junction Transistor Construction　
　11.2　 Transistor Action　
　11.3　 Nonideal Effects　
　11.4　 Base Resistance　　
　Reading Materials　　
Session 12　 The Bipolar Junction Transistor (　　Ⅱ　　)　
　12.1　 Breakdown Voltage　　
　12.2　 Frequency Limits of BJT　
　12.3　 The SchottkyClamped Transistor　
　12.4　 Smallsignal Transistor Model　
　Reading Materials　
Session 13　 Basics of MOSFETs　
　13.1　 Introduction　
　13.2　 General Characteristics of a MOSFET　　
　13.3　 MOS System　　
　13.4　 Work Function Differences　　
　13.5　 FlatBand Voltage　　
　13.6　 Threshold Voltage　
　Reading Materials　　
Session 14　 Nonideal Effects of MOSFETs　
　14.1　 Introduction　
　14.2　 Effective Mobility　
　14.3　 Velocity Saturation　　
　14.4　 Channellength Modulation　
　14.5　 DIBL　
　14.6　 Hotcarrier Effect　　
　14.7　 GIDL　　
　Reading Materials　　
Session 15　 Advanced MOSFET Devices　　
　15.1　 Introduction　
　15.2　 Channel Doping Profile　　
　15.3　 Gate Stack　　
　15.4　 Source/Drain Design　　
　15.5　 SchottkyBarrier Source/Drain　　
　15.6　 Raised Source/Drain　　
　15.7　 SOI　　
　15.8　 Three Dimensional Structure　　
　Reading Materials
Session 16　 Introduction to Integrated Circuits
　16.1　 Introduction　　
　16.2　 Size and Complexity of Integrated Circuits　　
　16.3　 Semiconductor Device for Integrated Circuits　　
　16.4　 IC Design Process　　
　Reading Materials　
Session 17　 Analog Integrated Circuits Design　　
　17.1　 Introduction　
　17.2　 Analog Signal Processing　　
　17.3　 CMOS Technology　　
　17.4　 Amplifiers　　
　17.5　 Differential Amplifiers　　
　17.6　 Operational Amplifiers　
　17.7　 Characterization of Op Amps　
　Reading Materials　　
Session 18　 Digital Integrated Circuits Design　　
　18.1　 Introduction　　
　18.2　 The Static CMOS Inverter　　
　18.3　 Designing Combinational Logic Gates in CMOS　
　Reading Materials　　
Session 19　 Radio Frequency Integrated Circuits Design　
　19.1　 Introduction　
　19.2　 RF System Performance Metrics　　
　19.3　 RF Transceiver Architectures　
　19.4　 RF Passive Component