多媒体技术应用（第3版）

　　《多媒体技术应用（第3版）》围绕多媒体系统平台、多媒体信息处理技术、制作多媒体作品等多项内容，进行了精简实用的论述。对多媒体系统平台、多媒体信息处理技术作了简明扼要的讲述；介绍了多媒体信息的播放和使用；平面绘图工具Illustrator、多媒体创作工具Flash的功能及使用技巧、数码设备信息的采集和输入技术，以及运用专用软件制作照片和影视信息，使不具有程序设计经验的非计算机专业人员也能制作出集声、图、文于一体的多媒体作品。为了便于深入学习和理解书中内容，《多媒体技术应用（第3版）》在各章后都附有小结和习题，并配有大量实例。《多媒体技术应用（第3版）》既可作为中等职业技术学校多媒体技术课程的教材，也可作为从事多媒体技术人员的技术参考书。《多媒体技术应用（第3版）》配有教学光盘和电子教学资料包，详见前言。

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第1章　集成电路设计概述
　1.1　集成电路的发展
　1.2　集成电路设计流程及设计环境
　1.3　集成电路制造途径
　1.4　集成电路设计的知识范围
　思考题
第2章　集成电路材料、结构与理论
　2.1　集成电路材料
　　2.1.1　硅
　　2.1.2　砷化镓
　　2.1.3　磷化铟
　　2.1.4　绝缘材料
　　2.1.5　金属材料
　　2.1.6　多晶硅
　　2.1.7　材料系统
　2.2　半导体基础知识
　　2.2.1　半导体的晶体结构
　　2.2.2　本征半导体与杂质半导体
　2.3　PN结与结型二极管
　　2.3.1　PN结的扩散与漂移
　　2.3.2　PN结型二极管
　　2.3.3　肖特基结二极管
　　2.3.4　欧姆型接触
　2.4　双极型晶体管
　　2.4.1　双极型晶体管的基本结构
　　2.4.2　双极型晶体管的工作原理
　2.5　MOS晶体管
　　2.5.1　MOS晶体管的基本结构
　　2.5.2　MOS晶体管的工作原理
　　2.5.3　MOS晶体管的伏安特性
　思考题
　本章参考文献
第3章　集成电路基本工艺
　3.1 外延生长
　3.2　掩模版的制造
　3.3　光刻原理与流程
　　3.3.1　光刻步骤
　　3.3.2　曝光方式
　3.4　氧化
　3.5　淀积与刻蚀
　3.6　掺杂原理与工艺
　思考题
　本章参考文献
第4章　集成电路器件工艺
　4.1　双极型集成电路的基本制造工艺
　　4.1.1　双极型硅工艺
　　4.1.2　HBT工艺
　4.2　MESFET和HEMT工艺
　　4.2.1　MESFET工艺
　　4.2.2　HEMT工艺
　4.3　MOS和相关的VLSl工艺
　　4.3.1　PMOS工艺
　　4.3.2　NMOS工艺
　　4.3.3　CMOS工艺
　4.4　BiCMOS工艺
　思考题
　本章参考文献
第5章　MOS场效应管的特性
　5.1　MOS场效应管
　　5.1.1　MOS管伏安特性的推导
　　5.1.2　MOS电容的组成
　　5.1.3　MOS电容的计算
　5.2　MOS FET的阂值电压VT
　5.3　体效应
　5.4　MOSFET的温度特性
　5.5　MOSFET的噪声
　5.6　MOSFET尺寸按比例缩小
　5.7　MOS器件的二阶效应
　　5.7.1　L和W的变化
　　5.7.2　迁移率的退化
　　5.7.3　沟道长度的调制
　　5.7.4　短沟道效应引起的阈值电压的变化
　　5.7.5　狭沟道效应引起的阈值电压的变化
　思考题
　本章参考文献
第6章　集成电路器件及SPICE模型
第7章　SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法
第8章　集成电路版图设计与工具
第9章　模拟集成电路基本单元
第10章　数字集成电路基本单元与版图
第11章　集成电路数字系统设计基础
第12章　集成电路的测试和封装