化合物半导体材料与器件

　　高等学校电子信息类规划教材：本书主要内容包括化合物半导体中载流子的瞬态输运、二维电子气、超晶格、异质结、杂质和缺陷等基础理论，以及化合物半导体材料的制备技术和新型的超高频、超高速器件（HEMT、HBT、量子谐振器件）与有重要发展前途的新材料（GaAs、SiGe合金和GaN、SiC等宽带隙材料）。本书可作为微电子学，光电子学，电子材料与元器件，电子物理等电子科学与技术专业的学生的教材，也可供从事相关专业工作的科技人员参考。

暂缺《化合物半导体材料与器件》作者简介

第一章 半导体的能带结构
1.1 能带中一些符号的意义
1.2 Ge、Si、GaAs的能带结构
1.3 抛物线性能带
1.4 非抛物线性能带
1.5 无能隙半导体
主要参考文献
第二章 载流子的瞬态输运过程
2.1 载流子的速度过冲(下冲)过程
2.2 载流子的弹道输运过程
主要参考文献
第三章 二维电子气
3.1 二维电子气概念
3.2 二维电子气的能量状态
3.3 低电场下二维电子气的迁移率
3.4 二维电子气的光学性质
3.5 强磁场中的二维电子气
3.6 一维电子气的特性
主要参考文献
第四章 半导体超晶格
4.1 基本结构
4.2 能带结构
4.3 超晶格振荡与放大器件
4.4 超晶格的应用举例
4.5 谐振隧道二极管
4.6 谐振带间隧道二极管
4.7 非晶半导体超晶格
4.8 半导体超晶格的无序化
主要参考文献
第五章 半导体异质结
5.1 半导体异质结的界面
5.2 半导体异质结的能带突变
5.3 热平衡下异质结的能带图
5.4 半导体异质结的伏安特性
5.5 非晶半导体异质结
5.6 Si/SiGe异质结
主要参考文献
第六章 高电子迁移率晶体管
6.1 HEMT的基本结构和工作管理
6.2 基本特性
6.3 HEMT中2-DEG的迁移率和漂移速度
6.4 赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)
6.5 HEMT集成电路
6.6 GaAs/AlGaAs类绝缘栅场效应晶体管
主要参考文献
第七章 异质结双极型晶体管
7.1 缓变发射结HBT
7.2 突变发射结HBT
7.3 缓变发射结、缓变基区HBT
7.4 突变发射结、缓变基区HBT
7.5 HBT的扩散理论
7.6 AlxGa1-xAs/GaAs-HBT
7.7 其他结构HBT举例
7.8 非晶HBT
7.9 Si/Si1-xGex-HBT
7.10 异质结双极型热电子晶体管
主要参考文献
第八章 化合物半导体外延技术
8.1 液封Czochralski拉晶技术
8.2 半绝缘GaAs单晶质量的改进
8.3 分子束外延
8.4 金属有机化学气相淀积法(MOCVD)
8.5 原子束外延(ALE)
8.6 卤素输运法
8.7 液相外延
主要参考文献
第九章 化合物半导体中的杂质和缺陷
9.1 常见杂质和点缺陷
9.2 热处理效应
9.3 II-VI族化合物半导体的掺杂问题
9.4 n型III-V族化合物半导体中的DX中心
9.5 GaAs/AlxGa1-xAs超晶格中的浅杂质态
主要参考文献
第十章 宽带隙化合物半导体材料及其异质结
10.1 SiC材料、器件及应用
10.2 GaN材料、异质结与器件
主要参考文献