数字CMOS VLSI分析与设计基础

　　本书全面系统地讲解了数字CMOSVLSI的基本原理及其设计。全书共分11章。前两章分析了MOS晶体管的基本原理以及器件按比例缩小的性能。第三章介绍了CMOSVLSI的制造工艺。第四至七章和第九章论述了CMOSVLSI的结构特点、工作原理及设计方法，并给出了很多电路实例。第八章介绍了VLSI存储器的新结构和新电路。最后两章介绍了90年代迅速发展的SOICMOS和BICMOS新技术。本书既强调了基本知识，又反映了CMOSVLSI的最新进展。全书条理清楚，讲解透彻，内容先进，便于自学。本书可作为微电子专业或相关专业的高年级本科生和研究生的教材，同时也是从事微电子技术研究、电路设计、生产及应用的工程技术人员的重要参考书。另外，对于其他专业想了解大规模和超大规模集成电路的工程技术人员，也是一本很有价值的参考书。

暂缺《数字CMOS VLSI分析与设计基础》作者简介

第一章  MOS晶体贸工作原理                  
 1. 1  MOS晶体管的结构特点和基本原理                  
 1. 2  MOS晶体管的阈值电压分析                  
 1. 3  MOS晶体管的电流方程                  
 1. 4  MOS晶体管的瞬态特性                  
 第二章  MOS器件按比例缩小                  
 2. 1  按比例缩小理论                  
 2. 2  高电场效应对按比例缩小器件性能的影响                  
 2. 3  不能按比例缩小的参数的影响                  
 2. 4  VLSI发展的实际限制                  
 第三章  CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应                  
 3. l  集成电路制作中的几个基本工艺步骤                  
 3. 2  CMOS ICI艺流程                  
 3. 3  CMOS IC中的寄生效应                  
 第四章  CMOS反相器和 CMOS传输门                  
 4. 1  CMOS反相器的直流特性                  
 4. 2  CMOS反相器的瞬态特性                  
 4. 3  CMOS反相器的功耗                  
 4. 4  CMOS反相器的设计                  
 4. 5  CMOS和NMOS电路性能比较                  
 4. 6  CMOS传输门                  
 第五章  CMOS静态逻辑电路设计                  
 5. 1  静态CMOS逻辑门的构成特点                  
 5. 2  CMOS与非门的分析                  
 5. 3  CMOS或非门的分析                  
 5. 4  CMOS与非门和或非门的设计                  
 5. 5  组合逻辑电路的设计                  
 5. 6  类NMOS电路                  
 5. 7  传输门逻辑电路                  
 5. 8  差分CMOS逻辑系列                  
 第六章  动态和时序逻辑电路设计                  
 6. 1  动态逻辑电路的特点                  
 6. 2  预充一求值的动态CMOS电路                  
 6. 3  多米诺（Domino）CMOS电路                  
 6. 4  时钟 CMOS（C MOS）电路                  
 6. 5  无竞争（NORA）动态CMOS电路                  
 6. 6  CMOS触发器                  
 6. 7  时序逻辑电路                  
 第七章  输入. 输出缓冲器                  
 7. 1  输入缓冲器                  
 7. 2  输入保护电路                  
 7. 3  输出缓冲器                  
 7. 4  脱片输出驱动级的设计                  
 7. 5  三态输出和双向缓冲器                  
 第八章  MOS存储器                  
 8. 1  DRAM                  
 8. 2  SRAM                  
 8. 3  ROM和PLD                  
 第九章  MOS IC的版图设计                  
 9. 1  VLSI的设计方法                  
 9. 2  门阵列和标准单元设计方法                  
 9. 3  版图设计                  
 第十章  SOICMOS简介                  
 10. 1  SOI CMOS工艺                  
 10. 2  薄膜SOIMOSFET的基本特性                  
 10. 3  短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应                  
 第十一章  BICMOS电路                  
 11. 1  MOS和双极型器件性能比较                  
 11. 2  BICMOS工艺和器件结构                  
 11. 3  BiCMOS逻辑门的设计                  
 11. 4  BiCMOS和CMOS电路性能的比较                  
 11. 5  BiCMOS电路实例                  
 主要符号表                  
 主要参考文献                  
 附录