书籍详情
超大规模集成电路与系统导论
作者：（美）John P.Uyemura著；周润德译；周润德译
出版社：电子工业出版社
出版时间：2004-07-01
ISBN：9787505394247
定价：¥56.00
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内容简介
John P. Uyemura 教授在美国 Georgia Institute of Technology长期从事VLSI领域的研究和教学，有很深的学术造诣和丰富的教学经验，在本书出版之前已经出版了多本这一领域的教科书。本书则是他最近的又一力作，内容深入浅出，从介绍最基础的知识开始，逐步讨论深层次的专题，每章的最后列出许多很有价值的参考资料。因此本书不仅可以作为电子、电气、自动化与计算机等专业本科高年级学生及研究生课程的教科书，也可作为相关科技和工程技术人员的参考书。本书介绍CMOS数字大规模集成电路与系统设计的基础。 全书分为三部分。 第1部分介绍集成电路的逻辑与物理层设计， 其中包括CMOS静态门的逻辑设计与信号控制， 芯片生产与制造工艺， 版图设计与CAD工具。 第2部分讨论CMOS电子电路， 介绍MOSFET的特性和开关模型， 各类逻辑电路，包括高速CMOS逻辑电路，同时介绍分析逻辑链延时的经典方法和新方法。第3部分为VLSI的系统设计，介绍VerilogHDL高层次描述语言， 分析数字系统单元库部件以及加法器和乘法器的设计，并且研究物理设计中应当考虑的问题，包括时钟技术、 布局布线、 信号串扰、 测试与功耗问题。本书可作为电子、 电气、 自动化与计算机等专业本科高年级学生及研究生课程的教科书， 也可作为相关科技和工程技术人员的参考书。
作者简介
暂缺《超大规模集成电路与系统导论》作者简介
目录
第1章 VLSI概论
1.1 复杂性与设计
1.2 基本概念
1.3 本书安排
1.4 参考资料
第1部分 硅片逻辑
第2章 MOSFET逻辑设计
2.1 理想开关与布尔运算
2.2 MOSFETE开关
2.3 基本的CMOS逻辑门
2.4 CMOS复合逻辑门
2.5 传输门(TG)电路
2.6 时钟控制和数据流控制
2.7 参考资料
2.8 习题
第3章 CMOS集成电路的物理结构
3.1 集成电路工艺层
3.2 MOSFET
3.3 CMOS工艺层
3.4 FET阵列设计
3.5 参考资料
3.6 习题
第4章 CMOS集成电路的制造
4.1 硅工艺概述
4.2 材料生长与淀积
4.3 刻蚀
4.4 CMOS工艺流程
4.5 设计规则
4.6 参考资料
第5章 物理设计的基本要素
5.1 基本概念
5.2 基本结构的版图
5.3 单元概念
5.4 FET的尺寸确定和单位晶体管
5.5 逻辑门的物理设计
5.6 设计层次化
5.7 参考资料
第2部分 从逻辑到电子电路
第6章 MOSFET的电气特性
6.1 MOS物理学
6.2 nFET电流-电压议程
6.3 FET的RC模型
6.4 pFET特性
6.5 小尺寸MOSFET模型
6.6 参考资料
6.7 习题
第7章 CMOS逻辑门电子学分析
7.1 CMOS反相器的直流特性
7.2 反相器的开关特性
7.3 功耗
7.4 DC特性:与非门(NAND门)和或非门(NOR门)
7.5 与非门和或非门的暂态响应
7.6 复合逻辑门的分析
7.7 逻辑门过渡特性设计
7.8 关于SPICE模拟
7.9 关于SPICE模拟
7.10 参考资料
7.11 习题
第8章 高速CMOS逻辑电路设计
8.1 门延时
8.2 驱支大电容负载
8.3 逻辑努力(Logic Effort)
8.4 BiCMOS驱动器
8.5 参考资料
8.6 习题
第9章 CMOS逻辑电路的高级技术
9.1 镜像电路
9.2 准nMOS电路
9.3 三态电路
9.4 时钟控制CMOS
9.5 动态COMS逻辑电路
9.6 双轨逻辑电路
9.7 参考资料
9.8 习题
第3部分 VLSI系统设计
第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统
10.1 基本概念
10.2 结构化的门级模型
10.3 开关级建模
10.4 层次化设计
10.5 行为级和RTL建模
10.6 参考资料
10.7 习题
第11章 常用的VLSI系统部件
11.1 多路选择器
11.2 二进制译码器
11.3 相等检测器和比较器
11.4 优先权编码器
11.5 移位和循环操作
11.6 锁存器
11.7 D触发器
11.8 寄存器
11.9 综合的作用
11.10 参考资料
11.11 习题
第12章 CMOS VLSI运算电路
12.1 一位加法器电路
12.2 串行进位加法器
12.3 超前进位加法器
12.4 其他高速加法器
12.5 乘法器
12.6 小结
12.7 参考资料
12.8 习题
第13章 存储器与可编程逻辑
13.1 静态RAM
13.2 SRAM阵列
13.3 动态RAM
13.4 ROM阵列
13.5 逻辑阵列
13.6 参考资料
13.7 习题
第14章 系统级物理设计
14.1 大规模集成电路的物理设计
14.2 互边线延时模型
14.3 串扰
14.4 互连线的尺寸缩小
14.5 布局布线
14.6 输入和输出电路
14.7 电源的分配和功耗
14.8 低功耗设计考虑
14.9 参考资料
14.10 习题
第15章 VLSI时钟和系统设计
15.1 时钟控制触发器
15.2 CMOS时钟方式
15.3 流水线系统
15.4 时钟的产生和分配
15.5 系统设计考虑
15.6 参考资料
第16章 VLSI电路的可靠性与测试
16.1 一般概念
16.2 CMOS测试
16.3 测试生成方法
16.4 小结
16.5 参考资料
1.1 复杂性与设计
1.2 基本概念
1.3 本书安排
1.4 参考资料
第1部分 硅片逻辑
第2章 MOSFET逻辑设计
2.1 理想开关与布尔运算
2.2 MOSFETE开关
2.3 基本的CMOS逻辑门
2.4 CMOS复合逻辑门
2.5 传输门(TG)电路
2.6 时钟控制和数据流控制
2.7 参考资料
2.8 习题
第3章 CMOS集成电路的物理结构
3.1 集成电路工艺层
3.2 MOSFET
3.3 CMOS工艺层
3.4 FET阵列设计
3.5 参考资料
3.6 习题
第4章 CMOS集成电路的制造
4.1 硅工艺概述
4.2 材料生长与淀积
4.3 刻蚀
4.4 CMOS工艺流程
4.5 设计规则
4.6 参考资料
第5章 物理设计的基本要素
5.1 基本概念
5.2 基本结构的版图
5.3 单元概念
5.4 FET的尺寸确定和单位晶体管
5.5 逻辑门的物理设计
5.6 设计层次化
5.7 参考资料
第2部分 从逻辑到电子电路
第6章 MOSFET的电气特性
6.1 MOS物理学
6.2 nFET电流-电压议程
6.3 FET的RC模型
6.4 pFET特性
6.5 小尺寸MOSFET模型
6.6 参考资料
6.7 习题
第7章 CMOS逻辑门电子学分析
7.1 CMOS反相器的直流特性
7.2 反相器的开关特性
7.3 功耗
7.4 DC特性:与非门(NAND门)和或非门(NOR门)
7.5 与非门和或非门的暂态响应
7.6 复合逻辑门的分析
7.7 逻辑门过渡特性设计
7.8 关于SPICE模拟
7.9 关于SPICE模拟
7.10 参考资料
7.11 习题
第8章 高速CMOS逻辑电路设计
8.1 门延时
8.2 驱支大电容负载
8.3 逻辑努力(Logic Effort)
8.4 BiCMOS驱动器
8.5 参考资料
8.6 习题
第9章 CMOS逻辑电路的高级技术
9.1 镜像电路
9.2 准nMOS电路
9.3 三态电路
9.4 时钟控制CMOS
9.5 动态COMS逻辑电路
9.6 双轨逻辑电路
9.7 参考资料
9.8 习题
第3部分 VLSI系统设计
第10章 用Verilog硬件描述语言描述系统
10.1 基本概念
10.2 结构化的门级模型
10.3 开关级建模
10.4 层次化设计
10.5 行为级和RTL建模
10.6 参考资料
10.7 习题
第11章 常用的VLSI系统部件
11.1 多路选择器
11.2 二进制译码器
11.3 相等检测器和比较器
11.4 优先权编码器
11.5 移位和循环操作
11.6 锁存器
11.7 D触发器
11.8 寄存器
11.9 综合的作用
11.10 参考资料
11.11 习题
第12章 CMOS VLSI运算电路
12.1 一位加法器电路
12.2 串行进位加法器
12.3 超前进位加法器
12.4 其他高速加法器
12.5 乘法器
12.6 小结
12.7 参考资料
12.8 习题
第13章 存储器与可编程逻辑
13.1 静态RAM
13.2 SRAM阵列
13.3 动态RAM
13.4 ROM阵列
13.5 逻辑阵列
13.6 参考资料
13.7 习题
第14章 系统级物理设计
14.1 大规模集成电路的物理设计
14.2 互边线延时模型
14.3 串扰
14.4 互连线的尺寸缩小
14.5 布局布线
14.6 输入和输出电路
14.7 电源的分配和功耗
14.8 低功耗设计考虑
14.9 参考资料
14.10 习题
第15章 VLSI时钟和系统设计
15.1 时钟控制触发器
15.2 CMOS时钟方式
15.3 流水线系统
15.4 时钟的产生和分配
15.5 系统设计考虑
15.6 参考资料
第16章 VLSI电路的可靠性与测试
16.1 一般概念
16.2 CMOS测试
16.3 测试生成方法
16.4 小结
16.5 参考资料
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