书籍详情
CMOS数字集成电路：分析与设计
作者：（美）康松默（Sung-Mo Kang），（美）约瑟夫·列波列比西（Yusuf Leblebici）著；王志功[等]译；王志功译
出版社：电子工业出版社
出版时间：2005-01-01
ISBN：9787505399518
定价：¥48.00
购买这本书可以去
内容简介
本书详细讲述了CMOS数字集成电路，反映了现代技术的发展水平，提供了电路设计的最新资料。本书共有十五章。前八章详细讨论了MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路；第10章介绍先进的半导存储电路；第11章介绍低功耗CMOS逻辑电路；第12章介绍双极型晶体管基本原理和BiCMOS数字电路设计；第13章详细介绍芯片的I/O设计；第14章和第15章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两重要问题。本书是现代数字集成电路设计的理想教材和参考书。可供与集成电路设计领域有关的各电类专业的本科生和研究生使用，也可供从事集成电路设计、数字系统设计和VLSI设计等领域的工程师参考。
作者简介
宋莫康，加州大学伯克利分校获得电子工程博士学位。目前在巴斯肯工学院（Baskinschoolofengineering）任系主任，兼任圣克鲁斯加州大学（Universityofcaliforniasantacruz）电子工程系教授。他还是IEEE超大规模集成电路（VLSI）系统学报的总编辑及创刊人，IEEE及诸多国际性期刊的编委会委员，IEEE、和AAAS成员。曾获IEEEMhirdMillennium奖，IEEE研究生教育技术领域奖，加州大学伯克利分校杰出校友奖，RSC卓越技术奖，IEEE电路与系统协会技术成就奖，美国洪堡（AlexandervonhumboldtU.S.）高级科学家奖，IEEE电路与系统分会达灵顿（CASDariington）论文奖，KBS奖，以及诸多最佳论文奖。相关图书
目录
第1章概论
1.1发展历史
1.2本书的目标和结构
1.3电路设计举例
1.4VLSI设计方法综述
1.5VLSI设计流程
1.6设计分层
1.7规范化.模块化和本地化的概念
1.8VLSI的设计风格
1.9设计质量
1.10封装技术
1.11计算机辅助设计技术
1.12习题
第2章MOS场效应管的制造
2.1引言
2.2制造工艺的基本步骤
2.3CMOSn阱工
2.4版图设计规划
2.5全定制掩膜版图设计
2.6习题
第3章MOS日体管
3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2外部偏置上下的MOS系统
3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4MOSFET的电流-电压特性
3.5MOSFET的收容和不尺寸效应
3.6MOSFET电容
3.7习题
第4章用SPICE进行MOS管建模
4.1概述
4.2基本概念
4.3一级模型方程
4.4二级模型方程
4.5三维模型方程
4.6选进的MOSFT模型
4.7电容模型
4.8SPICE MOSFET模型的比较
4.9附录
4.10习题
第5章MOS反相器的静态特性
5.1概述
5.2电阻负载型反相器
5.3n型MOSFET负载反相器
5.4CMOS反相器
5.5习题
第6章MOS反相器的开关特性和体效应
6.1概论
6.2延迟时间的定义
6.3延迟时间的计算
6.4延迟限制下的反相器设计
6.5互连线电容的估算
6.6互连线延迟的计算
6.7CMOS反相器的开关功耗
6.8附录
6.9习题
第7章组合MOS逻辑电路
7.1概述
7.2带耗尽型nMOS负载的MOS逻辑电路
7.3CMOS逻辑电路
7.4复合逻辑电路
7.5CMOS传输门
7.6习题
第8章时序MOS逻辑电路
8.1概述
8.2双稳态元件的特性
8.3SR锁存电路
8.4钟控锁存器和触发器电路
8.5CMOS的D锁器和边沿触发器
8.6附录
8.7习题
第9章动态逻辑电路
9.1概述
9.2传输晶体管电路的基本原理
9.3电压自举技术
9.4同步动态电路技术
9.5动态COMS电路技术
9.6高性能动态逻辑CMOS电路习题
9.7习题
第10章半导体存储器
10.1概述
10.2动态随机存储器（DRAM）
10.3静态随机存取存储器（SRAM）
10.4非易失存储器
10.5闪存
10.6铁电随机存储器（FRAM）
10.7习题
第11章低功耗CMOS逻辑电路
11.1概述
11.2功耗综述
11.3电压按比例降低的低功率设计
11.4开关激活率的估算和是佳化
11.5减小开关电容
11.6绝热逻辑电路
11.7习题
第12章BICMOS逻辑电路
12.1概述
12.2双极型晶体管（BJT）的结构和工作原理
12.3BJT的动态特性
12.4基本BiCMOS电路的静态特性
12.5BiCMOS逻辑电路的开关延迟
12.6BiCMOS的应用
12.7习题
第13章芯片输入输出电路
13.1概述
13.2静电放电（ESD）保护
13.3输入电路
13.4输出电路和L(dildt)噪声
13.5片内时钟生成和分配
13.6“闩锁”现象及其预防措施
13.7习题
第14章产品化设计
14.1概述
14.2工艺变化
14.3基本概念和定义
14.4实验设计与性能建模
14.5参数成品率的评估
14.6参数成品率的最大值
14.7最坏情况分析
14.8性能参数变化的最小化
14.9习题
第15章可测性设计
15.1概述
15.2故障类型和模型
15.3可控性和可观察性
15.4专用可测试性设计技术
15.5基于扫描的技术
15.6内建自测（BIST）技术
15.7电流监控IDDQ检测
15.8习题
参考文献
1.1发展历史
1.2本书的目标和结构
1.3电路设计举例
1.4VLSI设计方法综述
1.5VLSI设计流程
1.6设计分层
1.7规范化.模块化和本地化的概念
1.8VLSI的设计风格
1.9设计质量
1.10封装技术
1.11计算机辅助设计技术
1.12习题
第2章MOS场效应管的制造
2.1引言
2.2制造工艺的基本步骤
2.3CMOSn阱工
2.4版图设计规划
2.5全定制掩膜版图设计
2.6习题
第3章MOS日体管
3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2外部偏置上下的MOS系统
3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4MOSFET的电流-电压特性
3.5MOSFET的收容和不尺寸效应
3.6MOSFET电容
3.7习题
第4章用SPICE进行MOS管建模
4.1概述
4.2基本概念
4.3一级模型方程
4.4二级模型方程
4.5三维模型方程
4.6选进的MOSFT模型
4.7电容模型
4.8SPICE MOSFET模型的比较
4.9附录
4.10习题
第5章MOS反相器的静态特性
5.1概述
5.2电阻负载型反相器
5.3n型MOSFET负载反相器
5.4CMOS反相器
5.5习题
第6章MOS反相器的开关特性和体效应
6.1概论
6.2延迟时间的定义
6.3延迟时间的计算
6.4延迟限制下的反相器设计
6.5互连线电容的估算
6.6互连线延迟的计算
6.7CMOS反相器的开关功耗
6.8附录
6.9习题
第7章组合MOS逻辑电路
7.1概述
7.2带耗尽型nMOS负载的MOS逻辑电路
7.3CMOS逻辑电路
7.4复合逻辑电路
7.5CMOS传输门
7.6习题
第8章时序MOS逻辑电路
8.1概述
8.2双稳态元件的特性
8.3SR锁存电路
8.4钟控锁存器和触发器电路
8.5CMOS的D锁器和边沿触发器
8.6附录
8.7习题
第9章动态逻辑电路
9.1概述
9.2传输晶体管电路的基本原理
9.3电压自举技术
9.4同步动态电路技术
9.5动态COMS电路技术
9.6高性能动态逻辑CMOS电路习题
9.7习题
第10章半导体存储器
10.1概述
10.2动态随机存储器（DRAM）
10.3静态随机存取存储器（SRAM）
10.4非易失存储器
10.5闪存
10.6铁电随机存储器（FRAM）
10.7习题
第11章低功耗CMOS逻辑电路
11.1概述
11.2功耗综述
11.3电压按比例降低的低功率设计
11.4开关激活率的估算和是佳化
11.5减小开关电容
11.6绝热逻辑电路
11.7习题
第12章BICMOS逻辑电路
12.1概述
12.2双极型晶体管（BJT）的结构和工作原理
12.3BJT的动态特性
12.4基本BiCMOS电路的静态特性
12.5BiCMOS逻辑电路的开关延迟
12.6BiCMOS的应用
12.7习题
第13章芯片输入输出电路
13.1概述
13.2静电放电（ESD）保护
13.3输入电路
13.4输出电路和L(dildt)噪声
13.5片内时钟生成和分配
13.6“闩锁”现象及其预防措施
13.7习题
第14章产品化设计
14.1概述
14.2工艺变化
14.3基本概念和定义
14.4实验设计与性能建模
14.5参数成品率的评估
14.6参数成品率的最大值
14.7最坏情况分析
14.8性能参数变化的最小化
14.9习题
第15章可测性设计
15.1概述
15.2故障类型和模型
15.3可控性和可观察性
15.4专用可测试性设计技术
15.5基于扫描的技术
15.6内建自测（BIST）技术
15.7电流监控IDDQ检测
15.8习题
参考文献
猜您喜欢
