纳米CMOS器件

　　本书介绍了缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战，以及为改善器件性能而发展的新工艺、新结构。全书共六章，内容涉及CMOS器件等比例缩小的发展趋势，缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战，实现纳米图形尺寸的光刻技术，纳米CMOS器件中的栅工程，纳米CMOS器件中的沟道工程，以及各种新型的纳米CMOS器件结构及实现技术。本书取材新颖，基本反映了CMOS器件的最新发展。本书可作为微电子专业高年级本科生以及研究生的教学参考书，对从事CMOS器件和集成电路设计与研究的科学家和工程师也有重要参考价值，信息领域其他专业的科技人员也可从本书中了解一些微电子技术的最新进展。

暂缺《纳米CMOS器件》作者简介

序
前言
第一章 绪论
第二章 缩小到纳米尺寸的CMOS器件面临的挑战
2·1器件尺寸缩小对工艺技术的挑战
2·2栅氧化层减薄的限制
2·3量子效应的影响
2·4迁移率退化和速度饱和
2·5杂质随机分布的影响
2·6阈值电压减小的限制
2·7源、漏区串联电阻的影响
参考文献
第三章 纳米CMOS器件的图形制备技术
3·1光刻工艺技术的进展
3·2分辨率增强技术
3·3下一代光刻技术的研究进展
3·4一种实用的超细栅线条制备技术
3·5超细线条刻蚀技术
参考文献
第四章 纳米CMOS器件中的栅工程
4·1CMOS器件中的MIS栅结构
4·2氮氧硅栅介质
4·3高介电常数栅介质
4·4纳米CMOS技术中的新型栅电极材料
参考文献
第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术
5·1沟道工程要解决的问题
5·2纵向沟道工程
5·3纳米CMOS器件中的横向沟道工程
5·4纳米CMOS中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展
参考文献
第六章 新型纳米CMOS器件
6·1新型衬底结构器件
6·2新型栅结构器件
6·3新型沟道结构器件
6·4新型源漏结构器件
6·5新型工作机制器件
参考文献
主要符号表