书籍详情
集成电路导论
作者:杨之廉主编
出版社:清华大学出版社
出版时间:2003-03-01
ISBN:9787302062622
定价:¥23.00
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内容简介
《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列:集成电路导论》在简述集成电路的诞生、发展和未来后,首先介绍了半导体特性与晶体管工作原理,集成电路芯片制造技术的基本概念和步骤;然后重点讨论了基本门电路、存储器、微处理器、专用集成电路和可编程集成电路;最后介绍了芯片的设计流程、有关的设计工具以及集成电路的测试和封装。《清华大学信息科学技术学院教材·微电子光电子系列:集成电路导论》说理清楚,内容深入浅出,与实际联系紧密,易于自学。可作为大专院校微电子学和半导体专业学生的概论课教材,也可作为各类理工科专业和部分文商科专业本科生的普及性教材,还可作为各类高级技术和管理人士学习集成电路知识的入门参考书。
作者简介
暂缺《集成电路导论》作者简介
目录
第1章 绪论
1. 1 什么是集成电路和微电子学
1. 2 集成电路的诞生
l. 3 集成电路的发展
1. 3. l 应用的驱动
1. 3. 2 集成度的提高
1. 3. 3 摩尔定律
1. 3. 4 专用集成电路和专用标准产品
1. 3. 5 集成电路分类
1. 4 集成电路的未来
1. 5 微电子技术与其他学科相结合
第2章 半导体基本特性与晶体管工作原理
2. l 半导体的特性
2. 1. 1 什么是半导体
2. 1. 2 能级与能带
2. 1. 3 电子与空穴
2. 1. 4 N型半导体和P型半导体
2. 2 PN结
2. 2. 1 平衡状态下的PN结
2. 2. 2 正向状态下的PN结
2. 2. 3 反向状态下的PN结
2. 2. 4 PN结电容(空间电荷区电容)
2. 3 二极管
2. 3. l 二极管的电流与电压特性
2. 3. 2 二极管工作时管内少数载流子的分布情况
2. 3. 3 扩散电容
2. 4 双极型晶体管
2. 4. l 双极型晶体管的基本结构
2. 4. 2 共基极接地方式
2. 4. 3 共发射极接地方式
2. 4. 4 三极管的简化大信号模型
2. 4. 5 三极管的小信号放大效应
2. 5 金属一氧化物一半导体(MOS)场效应晶体管
2. 5. 1 MOS场效应晶体管的基本结构.
2. 5. 2 反型层的形成与阈值电压
2. 5. 3 MOS管中的电流与电压关系
2. 5. 4 衬底偏置调制效应
2. 5. 5 MOS管的简单模型
2. 5. 6 MOS管的几种类型
第3章 集成电路中的器件结构
3. l 电学隔离的必要性和方法
3. 2 二极管的结构
3. 3 双极型晶体管的结构
3. 4 MOS场效应晶体管的结构
3. 4. l 场氧化层的作用
3. 4. 2 CMOS电路的结构
3. 5 电阻的结构
3. 6 电容的结构
3. 7 接触孔. 通孔和互连线
第4章 集成电路芯片制造技术
4. 1 工艺制造中的核心步骤
4. 2 窗口. 图形的确定与掩模版的作用
4. 3 各主要工艺技术
4. 3. l 热氧化
4. 3. 2 热扩散掺杂
4. 3. 3 快速热处理
4. 3. 4 离子注入
4. 3. 5 化学气相淀积
4. 3. 6 光刻
4. 3. 7 刻蚀
4. 3. 8 选择性氧化
4. 3. 9 金属化
4. 4 CMOS电路制造的主要工艺流程
4. 5 缺陷与成品率
第5章 基本的门电路
5. l 数字信号的特性
5. 2 电路的主要性能
5. 3 双极型晶体管的开关特性
5. 4 饱和型与非饱和型双极型数字集成电路
5. 5 晶体管-晶体管逻辑(TTL)门
5. 5. 1 TTL与非门
5. 5. 2 TTL或非门
5. 5. 3 TTL与或非门
5. 6 肖特基晶体管-晶体管逻辑门
5. 7 发射极耦合逻辑(ECL)门
5. 7. 1 双极型差分放大电路
5. 7. 2 ECL或非门
5. 8 NMOS 门电路
5. 8. 1 NMOS反相器
5. 8. 2 NMOS与非门
5. 8. 3 NMOS或非门
5. 8. 4 NMOS通导管
5. 8. 5 NMOS触发器
5. 9 CMOS门电路
5. 9. 1 CMOS反相器
5. 9. 2 CMOS与非门
5. 9. 3 CMOS或非门
5. 9. 4 CMOS与或非门及或与非门
5. 9. 5 CMOS三态反相门
5. 9. 6 CMOS多路开关
5. 9. 7 CMOS传输门
5. 9. 8 CMOS异或门
5. 9. 9 CMOS RS触发器
5. 9. 10 CMOS D型锁存器
5. 10 双极型电路与MOS电路的比较
5. 11 BiCMOS电路
第6章 存储器类集成电路
6. l 存储器的功能和分类
6. 2 存储器的容量
6. 3 存储器的结构
6. 4 只读存储器
6. 4. l 只读存储器的存储单元
6. 4. 2 行译码器和缓冲器
6. 4. 3 列译码器和列选择器
6. 4. 4 读取时间
6. 5 不挥发性读写存储器
6. 5. 1 可擦除型可编程读写存储器(EPROM)
6. 5. 2 电可擦除型可编程读写存储器(EEPROM或E2PROM)
6. S. 3 闪烁型电可擦除可编程读写存储器(Flash EEPROM)
6. 6 随机存取存储器
6. 6. l 静态随机存取存储器(SRAM)
6. 6. 2 动态随机存取存储器(DRAM)
第7章 微处理器
7. 1 微处理器的定义
7. 2 微型计算机与微处理器
7. 2. l 微型计算机的硬件框架
7. 2. 2 微型计算机的机器指令
7. 2. 3 微型计算机中的信息流
7. 3 微处理器的工作原理
7. 3. l 微处理器的硬件结构
7. 3. 2 微处理器指令的类型. 格式和长度
7. 3. 3 微处理器指令的执行过程
7. 4 微处理器中的各个模块
7. 4. l 算术逻辑单元的加法器
7. 4. 2 寄存器. 寄存器堆和移位寄存器
7. 5 微控制器
第8章 专用集成电路和可编程集成电路
8. 1 专用集成电路的作用与特点
8. 2 门阵列集成电路
8. 2. 1 有通道门阵列
8. 2. 2 无通道门阵列(门海)
8. 3 标准单元集成电路
8. 4 多设计项目硅圆片方法
8. 5 可编程逻辑器件
8. 6 逻辑单元阵列
8. 7 门阵列. 标准单元与可编程集成电路的比较
第9章 设计流程和设计工具
9. l 设计要求
9. 2 层次化设计方法
g. 3 设计流程
9. 3. l 全定制设计流程
9. 3. 2 定制和半定制电路的设计流程
9. 4 版图设计规则
9. 5 设计系统简介
9. 6 常用的设计工具
9. 7 设计实例--交通路口信号灯控制器
第10章 集成电路的测试与封装
10. l 集成电路测试
10. 1. l 设计错误测试
10. 1. 2 功能测试
10. 2 故障模型
10. 3 故障模拟与分析
10. 4 可测性设计
10. 5 集成电路的可靠性
10. 6 典型的测试和检查过程
10. 7 封装的作用
10. 8 封装类型和封装技术
10. 9 封装时的热设计
10. 10 如何选择封装形式
参考文献
1. 1 什么是集成电路和微电子学
1. 2 集成电路的诞生
l. 3 集成电路的发展
1. 3. l 应用的驱动
1. 3. 2 集成度的提高
1. 3. 3 摩尔定律
1. 3. 4 专用集成电路和专用标准产品
1. 3. 5 集成电路分类
1. 4 集成电路的未来
1. 5 微电子技术与其他学科相结合
第2章 半导体基本特性与晶体管工作原理
2. l 半导体的特性
2. 1. 1 什么是半导体
2. 1. 2 能级与能带
2. 1. 3 电子与空穴
2. 1. 4 N型半导体和P型半导体
2. 2 PN结
2. 2. 1 平衡状态下的PN结
2. 2. 2 正向状态下的PN结
2. 2. 3 反向状态下的PN结
2. 2. 4 PN结电容(空间电荷区电容)
2. 3 二极管
2. 3. l 二极管的电流与电压特性
2. 3. 2 二极管工作时管内少数载流子的分布情况
2. 3. 3 扩散电容
2. 4 双极型晶体管
2. 4. l 双极型晶体管的基本结构
2. 4. 2 共基极接地方式
2. 4. 3 共发射极接地方式
2. 4. 4 三极管的简化大信号模型
2. 4. 5 三极管的小信号放大效应
2. 5 金属一氧化物一半导体(MOS)场效应晶体管
2. 5. 1 MOS场效应晶体管的基本结构.
2. 5. 2 反型层的形成与阈值电压
2. 5. 3 MOS管中的电流与电压关系
2. 5. 4 衬底偏置调制效应
2. 5. 5 MOS管的简单模型
2. 5. 6 MOS管的几种类型
第3章 集成电路中的器件结构
3. l 电学隔离的必要性和方法
3. 2 二极管的结构
3. 3 双极型晶体管的结构
3. 4 MOS场效应晶体管的结构
3. 4. l 场氧化层的作用
3. 4. 2 CMOS电路的结构
3. 5 电阻的结构
3. 6 电容的结构
3. 7 接触孔. 通孔和互连线
第4章 集成电路芯片制造技术
4. 1 工艺制造中的核心步骤
4. 2 窗口. 图形的确定与掩模版的作用
4. 3 各主要工艺技术
4. 3. l 热氧化
4. 3. 2 热扩散掺杂
4. 3. 3 快速热处理
4. 3. 4 离子注入
4. 3. 5 化学气相淀积
4. 3. 6 光刻
4. 3. 7 刻蚀
4. 3. 8 选择性氧化
4. 3. 9 金属化
4. 4 CMOS电路制造的主要工艺流程
4. 5 缺陷与成品率
第5章 基本的门电路
5. l 数字信号的特性
5. 2 电路的主要性能
5. 3 双极型晶体管的开关特性
5. 4 饱和型与非饱和型双极型数字集成电路
5. 5 晶体管-晶体管逻辑(TTL)门
5. 5. 1 TTL与非门
5. 5. 2 TTL或非门
5. 5. 3 TTL与或非门
5. 6 肖特基晶体管-晶体管逻辑门
5. 7 发射极耦合逻辑(ECL)门
5. 7. 1 双极型差分放大电路
5. 7. 2 ECL或非门
5. 8 NMOS 门电路
5. 8. 1 NMOS反相器
5. 8. 2 NMOS与非门
5. 8. 3 NMOS或非门
5. 8. 4 NMOS通导管
5. 8. 5 NMOS触发器
5. 9 CMOS门电路
5. 9. 1 CMOS反相器
5. 9. 2 CMOS与非门
5. 9. 3 CMOS或非门
5. 9. 4 CMOS与或非门及或与非门
5. 9. 5 CMOS三态反相门
5. 9. 6 CMOS多路开关
5. 9. 7 CMOS传输门
5. 9. 8 CMOS异或门
5. 9. 9 CMOS RS触发器
5. 9. 10 CMOS D型锁存器
5. 10 双极型电路与MOS电路的比较
5. 11 BiCMOS电路
第6章 存储器类集成电路
6. l 存储器的功能和分类
6. 2 存储器的容量
6. 3 存储器的结构
6. 4 只读存储器
6. 4. l 只读存储器的存储单元
6. 4. 2 行译码器和缓冲器
6. 4. 3 列译码器和列选择器
6. 4. 4 读取时间
6. 5 不挥发性读写存储器
6. 5. 1 可擦除型可编程读写存储器(EPROM)
6. 5. 2 电可擦除型可编程读写存储器(EEPROM或E2PROM)
6. S. 3 闪烁型电可擦除可编程读写存储器(Flash EEPROM)
6. 6 随机存取存储器
6. 6. l 静态随机存取存储器(SRAM)
6. 6. 2 动态随机存取存储器(DRAM)
第7章 微处理器
7. 1 微处理器的定义
7. 2 微型计算机与微处理器
7. 2. l 微型计算机的硬件框架
7. 2. 2 微型计算机的机器指令
7. 2. 3 微型计算机中的信息流
7. 3 微处理器的工作原理
7. 3. l 微处理器的硬件结构
7. 3. 2 微处理器指令的类型. 格式和长度
7. 3. 3 微处理器指令的执行过程
7. 4 微处理器中的各个模块
7. 4. l 算术逻辑单元的加法器
7. 4. 2 寄存器. 寄存器堆和移位寄存器
7. 5 微控制器
第8章 专用集成电路和可编程集成电路
8. 1 专用集成电路的作用与特点
8. 2 门阵列集成电路
8. 2. 1 有通道门阵列
8. 2. 2 无通道门阵列(门海)
8. 3 标准单元集成电路
8. 4 多设计项目硅圆片方法
8. 5 可编程逻辑器件
8. 6 逻辑单元阵列
8. 7 门阵列. 标准单元与可编程集成电路的比较
第9章 设计流程和设计工具
9. l 设计要求
9. 2 层次化设计方法
g. 3 设计流程
9. 3. l 全定制设计流程
9. 3. 2 定制和半定制电路的设计流程
9. 4 版图设计规则
9. 5 设计系统简介
9. 6 常用的设计工具
9. 7 设计实例--交通路口信号灯控制器
第10章 集成电路的测试与封装
10. l 集成电路测试
10. 1. l 设计错误测试
10. 1. 2 功能测试
10. 2 故障模型
10. 3 故障模拟与分析
10. 4 可测性设计
10. 5 集成电路的可靠性
10. 6 典型的测试和检查过程
10. 7 封装的作用
10. 8 封装类型和封装技术
10. 9 封装时的热设计
10. 10 如何选择封装形式
参考文献
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