书籍详情
单片机外围器件实用手册
作者：窦振中编著
出版社：北京航空航天大学出版社
出版时间：1998-04-01
ISBN：9787810127264
定价：¥55.00
购买这本书可以去
内容简介
本书是一本较全面介绍各种存储器应用的实用手册。其中包括：各种静态读写存储器SRAM、动态读写存储器DRAM、伪静态读写存储器PSRAM、一次性编程只读存储器OTPROM、可擦写只读存储器EPROM、可电擦写只读存储器EEPROM、快擦写存储器FlashMemory、非易失性静态读写存储器NVSRAM、新型非易失性铁电存储器FRAM、各种多端口读写存储器；另外还介绍了用于掉电数据保护的存储器插座和各种含片内存储器的微控制器；最后介绍一系列典型而实用的存储器应用技术。＜br＞本书可作为计算机、电子产品、仪器仪表、家用电器等工程技术人员设计和维修，以及大专院校师生用于教学的存储器应用参考书和工具书。＜br＞
作者简介
暂缺《单片机外围器件实用手册》作者简介
目录
目录 第一章易失性存储器
1.1 静态读写存储器SRAM
1.1.1 16 Kb SRAM系列
1.1.1.1 CMOS 20脚SRAM(16 K×1位)：21C67
1.1.1.2 CMOS 20脚SRAM(4 K×4位)：6168
1.1.1.3 CMOS 24脚SRAM(2 K×8位)：6116
1.1.1.4 CMOS 24脚SRAM(2 K×8位)：6117/6118
1.1.2 64 Kb SRAM系列
1.1.2.1 CMOS 22脚SRAM(16 K×4位)：7188
1.1.2.2 CMOS 22脚SRAM(16 K×4位)：1620
1.1.2.3 CMOS 24脚SRAM(16 K×4位)：1624
1.1.2.4 CMOS 28脚SRAM(8 K×8位)：6264
1.1.2.5 CMOS 28脚SRAM(8 K×8位)：7165
1.1.3 72 Kb SRAM系列
1.1.3.1 CMOS 28脚SRAM(8 K×9位)：81C79
1.1.4 256 Kb SRAM系列
1.1.4.1 CMOS 24脚SRAM(256 K×1位)：81C81
1.1.4.2 CMOS 24脚SRAM(256 K×1位)：1800
1.1.4.3 CMOS 24脚SRAM(64 K×4位)：81C84
1.1.4.4 CMOS 28脚SRAM(32 K×8位)：62256
1.1.5 1 Mb SRAM系列
1.1.5.1 CMOS 28脚SRAM(256 K×4位)：521002
1.1.5.2 CMOS 32脚SRAM(128 K×8位)：628128
1.1.5.3 CMOS 52脚SRAM(64 K×18位)：521028
1.1.6 静态读写存储器SRAM器件索引
1.2 伪静态读写存储器PSRAM
1.2.1 256Kb CMOS 28脚伪SRAM(32 K×8位)：65256
1.2.2 512 Kb CMOS 32脚伪SRAM(64 K×8位)：5864
1.2.3 1Mb CMOS 32脚伪SRAM(128 K×8位)：658128
1.2.4 4 Mb CMOS 32脚伪SRAM(512 K×8位)：58512
1.2.5 伪静态读写存储器PSRAM器件索引
1.3 动态读写存储器DRAM
1.3.1 动态读写存储器技术的发展
1.3.2 DRAM的工作原理
1.3.3 1 Mb DSRAM系列
1.3.3.1 CMOS页面方式DRAM(1M×1位)：
MCM511000／51L1000
1.3.3.2 CMOS页面方式DRAM(256 K×4位)：
MCM514256A／51L4256A
1.3.4 4 Mb DRAM系列
1.3.4.1 CMOS快速页面方式DRAM(4M×1位)：
MCM44100B／4L4100B
1.3.4.2 CMOS页面方式DRAM(1M×4位)：
MCM44400B／4L4400B …
1.3.5 16 Mb DRAM系列
1.3.5.1 CMOS快速页面方式DRAM：
MCM516100/MCM516400/MCM517400
1.3.5.2 CMOS快速页面方式DRAM：
MCM516160A/518160A和
MCM516180A/518180A
1.3.6 动态读写存储器DRAM器件索引
第二章 非易失性存储器
2.1 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM和
一次性编程ROM
2.1.1 16 Kb EPROM/PROM系列
2.1.1.1 (4 K×4位)20脚TTL高速PROM 7133
2.1.1.2 (4 K×4位)20脚TTL高速PROM 63S1640/41
2.1.1.3 (2 K×8位)22脚TTL高速PROM 7135
2.1.1.4 (2 K×8位)24脚TTL高速PROM 631680/81
2.1.1.5 (2 K×8位)24脚TTL PROM 7616
2.1.1.6 (2 K×8位)24脚NMOS
EPROM 2716/CMOS EPROM 27C16
2.1.1.7 (2 K×8位)24脚NMOS EPROM TMS2716
2.1.2 32 Kb EPROM/PROM系列
2.1.2.1 (4 K×8位)24脚NMOS
EPROM 2732／CMOS EPROM 27C32
2.1.3 64 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.3.1 (8 K×8位)28脚NMOS
EPROM 2764/CMOS EPROM 27C64 …
2.1.3.2 (8 K×8位)28脚带锁存器
CMOS EPROM 87C64
2.1.4 128 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.4.1 (16 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27128/CMOS EPROM 27C128
2.1.4.2 (16 K×8位)28脚 CMOS EPROM TMS27C128
2.1.5 256 Kb EPROM/PROM系列
2.1.5.1 (32 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27256/CMOS EPROM 27C256
2.1.5.2 (32 K×8位)28脚
带锁存器CMOS EPROM 87C256
2.1.6 512 Kb EPROM/PROM系列
2.1.6.1(64 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27512/CMOS EPROM 27C512
2.1.6.2 (4×16 K×8位)28脚
NMOS页寻址EPROM 27513
2.1.7 1 Mb EPROM/PROM系列
2.1.7.1 (128 K×8位)32脚
NMOS EPROM 27010/CMOS EPROM 27C010
2.1.7.2 (64 K×16位)40脚
NMOS EPROM 27210/CMOS EPROM 27C210
2.1.7.3 (8×16 K×8位) 28
脚NMOS页寻址EPROM 27011
2.1.8 2 Mb (256 K×8位)32
脚CMOS EPROM 27C020
2.1.9 4 Mb EPROM/PROM系列
2.1.9.1 (512 K×8位)32脚CMOS EPROM 27C040
2.1.9.2 (256 K×16位)40脚CMOS EPROM 27C4096
2.1.10 8 Mb (1 M×8位)32脚CMOS EPROM 27C080
2.1.11 36 Kb/64 Kb/128 Kb
串行OTP ROM 37LV36/65/128
2.1.12 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM
器件索引
2.2 可电擦除可编程只读存储器EEPROM
2.2.1 EEPROM 概述
2.2.2 4 Kb(512×8位)24脚CMOS并行接口
EEPROM 28C04
2.2.3 16 Kb (2 K×8位)CMOS并行接口
EEPROM 28C16和28C17
2.2.3.1 (2 K×8位)24脚CMOS并行接口
EEPROM 28C16
2.2.3.2 (2 K×8位)28脚CMOS并行接口
EEPROM 28C17
2.2.4 64 Kb(8 K×8位)28脚NMOS EEPROM
2864(A)/CMOS EEPROM 28C64
2.2.5 256 Kb(32 K×8位)28脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C256
2.2.6 512 Kb(64 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM X28C512/X28C 513
2.2.7 1 Mb(128 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C010
2.2.8 2 Mb(256 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C020
2.2.9 4 Mb(512 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C040
2.2.10 4 Mb(256 K×16位)40脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C4096
2.2.11二线制I2C CMOS串行EEPROM
24C01(A)/02(A)/04(A)/08/16/32/64
2.2.12 二线制可加口令的8脚CMOS串行
EEPROM X76041
2.2.13 三线制Microwire CMOS同步串行
EEPROM 93C06/46/56/66
2.2.14 三线制Microwire带有数据保护的CMOS
同步串行EEPROM 93CS06/46/56/66
2.2.15 SPI CMOS串行EEPROM 25C01/02/04
2.2.16 四线制CMOS串行EEPROM 59C11/22/13
2.2.17 可电擦除可编程只读存储器EEPROM器件索引
2.3 快擦写可编程只读存储器Flash Memory
2.3.1 概 述
2.3.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位)
CMOSFlash 28F256/512/010/020
2.3.3 4 Mb(512 K×8位)CMOS分块结构
Flash Memory 28F4001
2.3.4 4 Mb(512 K×8位)44脚CMOS
带自举模块的Flash Memory 28F004BX
2.3.5 4 Mb(512 K×8位)44脚CMOS
带自举模块的Flash Memory 28F400BX
2.3.6 8 Mb(1 M×8位)44脚
CMOS Flash Memory 28F008SA
2.3.7 Atmel的AT29CXXX Flash系列
2.3.7.1 Atmel的AT29CXXX Flash Memory概述
2.3.7.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位/16位)
CMOS Flash EPROM
29C256/257/512/010/020/040(A)
和29C1024/2048/4096
2.3.8 串行快擦写存储器
2.3.8.1 带块锁定保护二线制串行快擦写
存储器X24FXXX系列
2.3.8.2 带锁定保护的SPI串行接口快擦写
存储器X25FXXX系列
2.3.9 快擦写可编程只读存储器
Flash Memory器件索引
2.4 非易失性静态读写存储器NVSRAM
2.4.1 非易失性SRAM系列DS12XX
2.4.2 带有电源监视器的非易失性SRAM系列DS13XX
2.4.3 可分区的非易失性SRAM系列DS16XX和
低压DS17XX
2.4.4 带有输入输出端口的非易失性SRAM DS1381
2.4.5 带有64位标识码的256位影子NOVSRAM DS2430
2.4.6 非易失性静态读写存储器NV SRTAM器件索引
2.5 铁电介质读写存储器FRAM
2.5.1 铁电介质读写存储器FRAM概述
2.5.2 4 Kb/16 Kb/64 Kb非易失性铁电存储器
FM 1208S/1408S/1608S
2.5.3 4 Kb/16 Kb非易失性串行铁电读写存储器
FM 24C04/24C16
第三章 多端口读写存储器MPRAM
3.1 双端口RAM
3.1.1 (1 K×8位)双端口SRAM
CY7C130/131/140/141
3.1.2 (2 K×8位)双端口SRAM CY7C132/136
和CY7C142/146
3.1.3 (256×8位)双端口SRAM DS1609
3.2 FIFO存储器
3.2.1 (512×9位)异步FIFO
LH540201/LH5496(H)/DS2009
3.2.2 (512×18位/1 K×18位)同步FIFO
LH540215/25 IDT72215B/25B…
3. 2.3 (4 K×9位)同步FIFO LH5492 MS76492
(Mosel/Vitelic) NMFC5492(National)
3.2.4 (4 K×9位)并行转串行FIFO LH5493
MS76493(Mosel/Vitelic)/NMFP5
493(National)
3.2.5 (4 K×9位)串行转并行FIFO LH5494
MS76494(Mosel/Vitelic)/ NMFP
5494(National)
3.3 其他多端口存储器
3.3.1 (4 K×9位)4端口串行RAM DS2015
3.3.2 存储器三线串行字节并行总线转换器
DS1280
3.3.3 多端口读写存储器MPRAM(/FIFO)器件
索引
第四章 内嵌电池掉电自保护存储器插座
4.1 掉电自保护SRAM插座
4.1.1 掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1213B
4.1.2 掉电自保护256 Kb SRAM插座DS1213C
4.1.3 掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1213D
4.2 带实时时钟的掉电自保护存储器插座
4.2.1 带实时时钟的掉电自保护16 Kb/64 Kb SRAM插座DS1216B
4.2.2 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256 Kb SRAM插座DS1216C
4.2.3 带实时时钟的掉电自保护256 Kb/1 Mb SRAM插座DS1216D
4.2.4 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256 Kb
ROM插座DS1216E
4.2.5 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256
Kb/1 Mb ROM插座DS1216F…
4.3 分区写保护掉电自保护SRAM插座
4.3.1 分区写保护掉电自保护256 Kb SRAM
插座DS1613C
4.3.2 分区写保护掉电自保护1 Mb SRAM
插座DS1613D
4.4 带实时时钟和NVSRAM的超级微控制器
插座DS1310/1311
第五章 微控制器片内存储器
5.1 Motorola公司微控制器系列
5.1.1 Motorola公司含存储器的
M6801/M6804/M6805/MC146805系列
微控制器
5.1.2 Motorola公司
含存储器的M68HC05系列微控制器
5.1.3 Motorola公司
含存储器的M68HC11系列微控制器
5.1.4 Motorola公司
含存储器的M68HC16系列微控制器
5.1.5 Motorola公司
含存储器的M68300系列微控制器
5.2 Intel公司微控制器系列
5.2.1 Intel公司
含存储器的MCS51系列8位微控制器
5.2.2 Intel公司
含存储器的MCS52系列8位微控制器
5.2.3 Intel公司
含存储器的MCS96系列16位微控制器
5.3 Philips公司微控制器系列
5.3.1 Philips公司
含存储器的80C51系列微控制器
5.3.2 Philips公司
含存储器的80C52系列微控制器
5.4 Zilog公司微控制器系列
5.4.1 Zilog公司
含存储器的Z84/Z86系列微控制器
5.4.2 Zilog公司含存储器的Z89系列微控制器
5.5 National Semiconductor公司
微控制器系列
5.5.1 National Semiconductor公司
含存储器的4位微控制器系列
5.5.2 National Semiconductor公司
含存储器的8位微控制器系列
5.5.3 National Semiconductor公司
含存储器的16位高性能微控制器系列 …
5.6 Microchip公司
微控制器系列中含存储器的芯片
5.6.1 Microchip公司基础级微控制器系列
5.6.2 Microchip公司中档微控制器系列
5.6.3 Microchip公司高档微控制器系列
5.7 Atmel公司微控制器系列中含存储器的芯片
5.8 NEC公司微控制器系列
5.8.1 NEC公司含存储器的4位微控制器系列
5.8.2 NEC公司含存储器的准8位微控制器系列
5.8.3 NEC公司含存储器的8位微控制器系列
5.8.4 NEC公司含存储器的准16位微控制器系列
5.9 Toshiba 公司
微控制器系列中含存储器的芯片
5.9.1 Toshiba公司
含存储器的4位微控制器系列
5.9.2 Toshiba公司
含存储器的8位微控制器系列
5.9.3 Toshiba公司
含存储器的基于Z80微控制器系列
5.9.4 Toshiba公司含存储器的
基于68HC05/11的微控制器系列
5.10 Fujitsu公司微控制器系列
5.10.1 Fujitsu公司
含存储器的8850系列4位微控制器
5.10.2 Fujitsu公司
含存储器的88200系列4位微控制器
5.10.3 Fujitsu公司
含存储器的88500系列4位微控制器
5.10.4 Fujitsu公司
含存储器的89700系列8位微控制器
5.11 Panasonic公司微处理器系列
5.11.1 Panasonic公司
含存储器的1400系列4位微处理器
5.11.2 Panasonic公司
含存储器的1500系列4位微处理器
5.12 Hitachi公司微控制器系列
5.12.1 Hitachi公司
含存储器的4位微控制器系列
5.12.2 Hitachi公司
含存储器的8位微控制器系列
5.13 Texas Instruments公司微控制器系列
5.13.1 Texas Instruments公司
含存储器的7000系列8位微控制器
5.13.2 Texas Instruments公司
含存储器的TMS370系列8位微控制器
5.14 Holtek公司微控制器系列
5.14.1 Holtek公司
含存储器的4位微控制器系列
5.14.2 Holtek公司含
存储器的8位微控制器系列
第六章 存储器应用技术
6.1 存储器扩展技术
6.1.1 存储器的基本操作控制
6.1.2 超过地址寻址范围的大容量存储器
扩展技术
6.2 存储器兼容设计技术
6.2.1 相同引脚数目的EPROM和SRAM兼容设计
6.2.2 不同型号存储器插座兼容设计
6.2.3 8031单片机中EPROM和SRAM通用存储器
全兼容设计
6.3 EPROM应用技术
6.3.1 3V EPROM与5 V BUS的接口技术
6.3.2 用VCC=5 V给EPROM编程和编程器
印刷板设计
6.3.3 页面寻址EPROM的应用
6.3.4 EPROM的正确使用和快速固化技术
6.4 EEPROM应用技术
6.4.1 EEPROM的数据保护
6.4.2 EEPROM的芯片擦除软件算法
6.4.3 串行EEPROM的操作
6.5 存储器节能设计技术
6.5.1 低功率微系统环境的存储器设计概述
6.5.2 低功耗存储器与非易失性存储器的选择
6.5.3 使用CHMOS DRAM的系统设计
6.5.4 电 池
6.5.5 电源切换电路
6.5.6 结 论
参考文献
附录 国内外生产半导体存储器器件公司
和代理商名录
1.1 静态读写存储器SRAM
1.1.1 16 Kb SRAM系列
1.1.1.1 CMOS 20脚SRAM(16 K×1位)：21C67
1.1.1.2 CMOS 20脚SRAM(4 K×4位)：6168
1.1.1.3 CMOS 24脚SRAM(2 K×8位)：6116
1.1.1.4 CMOS 24脚SRAM(2 K×8位)：6117/6118
1.1.2 64 Kb SRAM系列
1.1.2.1 CMOS 22脚SRAM(16 K×4位)：7188
1.1.2.2 CMOS 22脚SRAM(16 K×4位)：1620
1.1.2.3 CMOS 24脚SRAM(16 K×4位)：1624
1.1.2.4 CMOS 28脚SRAM(8 K×8位)：6264
1.1.2.5 CMOS 28脚SRAM(8 K×8位)：7165
1.1.3 72 Kb SRAM系列
1.1.3.1 CMOS 28脚SRAM(8 K×9位)：81C79
1.1.4 256 Kb SRAM系列
1.1.4.1 CMOS 24脚SRAM(256 K×1位)：81C81
1.1.4.2 CMOS 24脚SRAM(256 K×1位)：1800
1.1.4.3 CMOS 24脚SRAM(64 K×4位)：81C84
1.1.4.4 CMOS 28脚SRAM(32 K×8位)：62256
1.1.5 1 Mb SRAM系列
1.1.5.1 CMOS 28脚SRAM(256 K×4位)：521002
1.1.5.2 CMOS 32脚SRAM(128 K×8位)：628128
1.1.5.3 CMOS 52脚SRAM(64 K×18位)：521028
1.1.6 静态读写存储器SRAM器件索引
1.2 伪静态读写存储器PSRAM
1.2.1 256Kb CMOS 28脚伪SRAM(32 K×8位)：65256
1.2.2 512 Kb CMOS 32脚伪SRAM(64 K×8位)：5864
1.2.3 1Mb CMOS 32脚伪SRAM(128 K×8位)：658128
1.2.4 4 Mb CMOS 32脚伪SRAM(512 K×8位)：58512
1.2.5 伪静态读写存储器PSRAM器件索引
1.3 动态读写存储器DRAM
1.3.1 动态读写存储器技术的发展
1.3.2 DRAM的工作原理
1.3.3 1 Mb DSRAM系列
1.3.3.1 CMOS页面方式DRAM(1M×1位)：
MCM511000／51L1000
1.3.3.2 CMOS页面方式DRAM(256 K×4位)：
MCM514256A／51L4256A
1.3.4 4 Mb DRAM系列
1.3.4.1 CMOS快速页面方式DRAM(4M×1位)：
MCM44100B／4L4100B
1.3.4.2 CMOS页面方式DRAM(1M×4位)：
MCM44400B／4L4400B …
1.3.5 16 Mb DRAM系列
1.3.5.1 CMOS快速页面方式DRAM：
MCM516100/MCM516400/MCM517400
1.3.5.2 CMOS快速页面方式DRAM：
MCM516160A/518160A和
MCM516180A/518180A
1.3.6 动态读写存储器DRAM器件索引
第二章 非易失性存储器
2.1 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM和
一次性编程ROM
2.1.1 16 Kb EPROM/PROM系列
2.1.1.1 (4 K×4位)20脚TTL高速PROM 7133
2.1.1.2 (4 K×4位)20脚TTL高速PROM 63S1640/41
2.1.1.3 (2 K×8位)22脚TTL高速PROM 7135
2.1.1.4 (2 K×8位)24脚TTL高速PROM 631680/81
2.1.1.5 (2 K×8位)24脚TTL PROM 7616
2.1.1.6 (2 K×8位)24脚NMOS
EPROM 2716/CMOS EPROM 27C16
2.1.1.7 (2 K×8位)24脚NMOS EPROM TMS2716
2.1.2 32 Kb EPROM/PROM系列
2.1.2.1 (4 K×8位)24脚NMOS
EPROM 2732／CMOS EPROM 27C32
2.1.3 64 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.3.1 (8 K×8位)28脚NMOS
EPROM 2764/CMOS EPROM 27C64 …
2.1.3.2 (8 K×8位)28脚带锁存器
CMOS EPROM 87C64
2.1.4 128 Kb EPROM／PROM 系列
2.1.4.1 (16 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27128/CMOS EPROM 27C128
2.1.4.2 (16 K×8位)28脚 CMOS EPROM TMS27C128
2.1.5 256 Kb EPROM/PROM系列
2.1.5.1 (32 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27256/CMOS EPROM 27C256
2.1.5.2 (32 K×8位)28脚
带锁存器CMOS EPROM 87C256
2.1.6 512 Kb EPROM/PROM系列
2.1.6.1(64 K×8位)28脚
NMOS EPROM 27512/CMOS EPROM 27C512
2.1.6.2 (4×16 K×8位)28脚
NMOS页寻址EPROM 27513
2.1.7 1 Mb EPROM/PROM系列
2.1.7.1 (128 K×8位)32脚
NMOS EPROM 27010/CMOS EPROM 27C010
2.1.7.2 (64 K×16位)40脚
NMOS EPROM 27210/CMOS EPROM 27C210
2.1.7.3 (8×16 K×8位) 28
脚NMOS页寻址EPROM 27011
2.1.8 2 Mb (256 K×8位)32
脚CMOS EPROM 27C020
2.1.9 4 Mb EPROM/PROM系列
2.1.9.1 (512 K×8位)32脚CMOS EPROM 27C040
2.1.9.2 (256 K×16位)40脚CMOS EPROM 27C4096
2.1.10 8 Mb (1 M×8位)32脚CMOS EPROM 27C080
2.1.11 36 Kb/64 Kb/128 Kb
串行OTP ROM 37LV36/65/128
2.1.12 可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM
器件索引
2.2 可电擦除可编程只读存储器EEPROM
2.2.1 EEPROM 概述
2.2.2 4 Kb(512×8位)24脚CMOS并行接口
EEPROM 28C04
2.2.3 16 Kb (2 K×8位)CMOS并行接口
EEPROM 28C16和28C17
2.2.3.1 (2 K×8位)24脚CMOS并行接口
EEPROM 28C16
2.2.3.2 (2 K×8位)28脚CMOS并行接口
EEPROM 28C17
2.2.4 64 Kb(8 K×8位)28脚NMOS EEPROM
2864(A)/CMOS EEPROM 28C64
2.2.5 256 Kb(32 K×8位)28脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C256
2.2.6 512 Kb(64 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM X28C512/X28C 513
2.2.7 1 Mb(128 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C010
2.2.8 2 Mb(256 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C020
2.2.9 4 Mb(512 K×8位)32脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C040
2.2.10 4 Mb(256 K×16位)40脚CMOS页面写入
并行接口EEPROM 28C4096
2.2.11二线制I2C CMOS串行EEPROM
24C01(A)/02(A)/04(A)/08/16/32/64
2.2.12 二线制可加口令的8脚CMOS串行
EEPROM X76041
2.2.13 三线制Microwire CMOS同步串行
EEPROM 93C06/46/56/66
2.2.14 三线制Microwire带有数据保护的CMOS
同步串行EEPROM 93CS06/46/56/66
2.2.15 SPI CMOS串行EEPROM 25C01/02/04
2.2.16 四线制CMOS串行EEPROM 59C11/22/13
2.2.17 可电擦除可编程只读存储器EEPROM器件索引
2.3 快擦写可编程只读存储器Flash Memory
2.3.1 概 述
2.3.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位)
CMOSFlash 28F256/512/010/020
2.3.3 4 Mb(512 K×8位)CMOS分块结构
Flash Memory 28F4001
2.3.4 4 Mb(512 K×8位)44脚CMOS
带自举模块的Flash Memory 28F004BX
2.3.5 4 Mb(512 K×8位)44脚CMOS
带自举模块的Flash Memory 28F400BX
2.3.6 8 Mb(1 M×8位)44脚
CMOS Flash Memory 28F008SA
2.3.7 Atmel的AT29CXXX Flash系列
2.3.7.1 Atmel的AT29CXXX Flash Memory概述
2.3.7.2 256 Kb/512 Kb/1 Mb/2 Mb
(32 K/64 K/128 K/256 K×8位/16位)
CMOS Flash EPROM
29C256/257/512/010/020/040(A)
和29C1024/2048/4096
2.3.8 串行快擦写存储器
2.3.8.1 带块锁定保护二线制串行快擦写
存储器X24FXXX系列
2.3.8.2 带锁定保护的SPI串行接口快擦写
存储器X25FXXX系列
2.3.9 快擦写可编程只读存储器
Flash Memory器件索引
2.4 非易失性静态读写存储器NVSRAM
2.4.1 非易失性SRAM系列DS12XX
2.4.2 带有电源监视器的非易失性SRAM系列DS13XX
2.4.3 可分区的非易失性SRAM系列DS16XX和
低压DS17XX
2.4.4 带有输入输出端口的非易失性SRAM DS1381
2.4.5 带有64位标识码的256位影子NOVSRAM DS2430
2.4.6 非易失性静态读写存储器NV SRTAM器件索引
2.5 铁电介质读写存储器FRAM
2.5.1 铁电介质读写存储器FRAM概述
2.5.2 4 Kb/16 Kb/64 Kb非易失性铁电存储器
FM 1208S/1408S/1608S
2.5.3 4 Kb/16 Kb非易失性串行铁电读写存储器
FM 24C04/24C16
第三章 多端口读写存储器MPRAM
3.1 双端口RAM
3.1.1 (1 K×8位)双端口SRAM
CY7C130/131/140/141
3.1.2 (2 K×8位)双端口SRAM CY7C132/136
和CY7C142/146
3.1.3 (256×8位)双端口SRAM DS1609
3.2 FIFO存储器
3.2.1 (512×9位)异步FIFO
LH540201/LH5496(H)/DS2009
3.2.2 (512×18位/1 K×18位)同步FIFO
LH540215/25 IDT72215B/25B…
3. 2.3 (4 K×9位)同步FIFO LH5492 MS76492
(Mosel/Vitelic) NMFC5492(National)
3.2.4 (4 K×9位)并行转串行FIFO LH5493
MS76493(Mosel/Vitelic)/NMFP5
493(National)
3.2.5 (4 K×9位)串行转并行FIFO LH5494
MS76494(Mosel/Vitelic)/ NMFP
5494(National)
3.3 其他多端口存储器
3.3.1 (4 K×9位)4端口串行RAM DS2015
3.3.2 存储器三线串行字节并行总线转换器
DS1280
3.3.3 多端口读写存储器MPRAM(/FIFO)器件
索引
第四章 内嵌电池掉电自保护存储器插座
4.1 掉电自保护SRAM插座
4.1.1 掉电自保护16Kb/64Kb SRAM插座DS1213B
4.1.2 掉电自保护256 Kb SRAM插座DS1213C
4.1.3 掉电自保护256Kb/1Mb SRAM插座DS1213D
4.2 带实时时钟的掉电自保护存储器插座
4.2.1 带实时时钟的掉电自保护16 Kb/64 Kb SRAM插座DS1216B
4.2.2 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256 Kb SRAM插座DS1216C
4.2.3 带实时时钟的掉电自保护256 Kb/1 Mb SRAM插座DS1216D
4.2.4 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256 Kb
ROM插座DS1216E
4.2.5 带实时时钟的掉电自保护64 Kb/256
Kb/1 Mb ROM插座DS1216F…
4.3 分区写保护掉电自保护SRAM插座
4.3.1 分区写保护掉电自保护256 Kb SRAM
插座DS1613C
4.3.2 分区写保护掉电自保护1 Mb SRAM
插座DS1613D
4.4 带实时时钟和NVSRAM的超级微控制器
插座DS1310/1311
第五章 微控制器片内存储器
5.1 Motorola公司微控制器系列
5.1.1 Motorola公司含存储器的
M6801/M6804/M6805/MC146805系列
微控制器
5.1.2 Motorola公司
含存储器的M68HC05系列微控制器
5.1.3 Motorola公司
含存储器的M68HC11系列微控制器
5.1.4 Motorola公司
含存储器的M68HC16系列微控制器
5.1.5 Motorola公司
含存储器的M68300系列微控制器
5.2 Intel公司微控制器系列
5.2.1 Intel公司
含存储器的MCS51系列8位微控制器
5.2.2 Intel公司
含存储器的MCS52系列8位微控制器
5.2.3 Intel公司
含存储器的MCS96系列16位微控制器
5.3 Philips公司微控制器系列
5.3.1 Philips公司
含存储器的80C51系列微控制器
5.3.2 Philips公司
含存储器的80C52系列微控制器
5.4 Zilog公司微控制器系列
5.4.1 Zilog公司
含存储器的Z84/Z86系列微控制器
5.4.2 Zilog公司含存储器的Z89系列微控制器
5.5 National Semiconductor公司
微控制器系列
5.5.1 National Semiconductor公司
含存储器的4位微控制器系列
5.5.2 National Semiconductor公司
含存储器的8位微控制器系列
5.5.3 National Semiconductor公司
含存储器的16位高性能微控制器系列 …
5.6 Microchip公司
微控制器系列中含存储器的芯片
5.6.1 Microchip公司基础级微控制器系列
5.6.2 Microchip公司中档微控制器系列
5.6.3 Microchip公司高档微控制器系列
5.7 Atmel公司微控制器系列中含存储器的芯片
5.8 NEC公司微控制器系列
5.8.1 NEC公司含存储器的4位微控制器系列
5.8.2 NEC公司含存储器的准8位微控制器系列
5.8.3 NEC公司含存储器的8位微控制器系列
5.8.4 NEC公司含存储器的准16位微控制器系列
5.9 Toshiba 公司
微控制器系列中含存储器的芯片
5.9.1 Toshiba公司
含存储器的4位微控制器系列
5.9.2 Toshiba公司
含存储器的8位微控制器系列
5.9.3 Toshiba公司
含存储器的基于Z80微控制器系列
5.9.4 Toshiba公司含存储器的
基于68HC05/11的微控制器系列
5.10 Fujitsu公司微控制器系列
5.10.1 Fujitsu公司
含存储器的8850系列4位微控制器
5.10.2 Fujitsu公司
含存储器的88200系列4位微控制器
5.10.3 Fujitsu公司
含存储器的88500系列4位微控制器
5.10.4 Fujitsu公司
含存储器的89700系列8位微控制器
5.11 Panasonic公司微处理器系列
5.11.1 Panasonic公司
含存储器的1400系列4位微处理器
5.11.2 Panasonic公司
含存储器的1500系列4位微处理器
5.12 Hitachi公司微控制器系列
5.12.1 Hitachi公司
含存储器的4位微控制器系列
5.12.2 Hitachi公司
含存储器的8位微控制器系列
5.13 Texas Instruments公司微控制器系列
5.13.1 Texas Instruments公司
含存储器的7000系列8位微控制器
5.13.2 Texas Instruments公司
含存储器的TMS370系列8位微控制器
5.14 Holtek公司微控制器系列
5.14.1 Holtek公司
含存储器的4位微控制器系列
5.14.2 Holtek公司含
存储器的8位微控制器系列
第六章 存储器应用技术
6.1 存储器扩展技术
6.1.1 存储器的基本操作控制
6.1.2 超过地址寻址范围的大容量存储器
扩展技术
6.2 存储器兼容设计技术
6.2.1 相同引脚数目的EPROM和SRAM兼容设计
6.2.2 不同型号存储器插座兼容设计
6.2.3 8031单片机中EPROM和SRAM通用存储器
全兼容设计
6.3 EPROM应用技术
6.3.1 3V EPROM与5 V BUS的接口技术
6.3.2 用VCC=5 V给EPROM编程和编程器
印刷板设计
6.3.3 页面寻址EPROM的应用
6.3.4 EPROM的正确使用和快速固化技术
6.4 EEPROM应用技术
6.4.1 EEPROM的数据保护
6.4.2 EEPROM的芯片擦除软件算法
6.4.3 串行EEPROM的操作
6.5 存储器节能设计技术
6.5.1 低功率微系统环境的存储器设计概述
6.5.2 低功耗存储器与非易失性存储器的选择
6.5.3 使用CHMOS DRAM的系统设计
6.5.4 电 池
6.5.5 电源切换电路
6.5.6 结 论
参考文献
附录 国内外生产半导体存储器器件公司
和代理商名录
猜您喜欢
