微电子制造科学原理与工程技术（第2版）

　　本书系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术，覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺，包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发、气相外延生长、溅射和化学气相淀积等。对每一种单项工艺，不仅介绍了它的物理和化学原理，还描述了用于集成电路制造的工艺设备。本书还介绍了各种先进的工艺技术，如快速热处理、下一代光刻、分子束外延和金属有机物化学气相淀积等。在此基础上本书讨论了如何将这些单项工艺集成为各种常见的集成电路工艺技术，如CMOS技术、双极型技术和砷化镓技术，此外本书还介绍了微电子制造的新领域即微机械电子系统及其工艺技术。本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书，也可供与集成电路制造工艺技术有关的专业技术人员学习参考。

　　Stephen A. Campbell：明尼苏达大学电子与计算机工程系教授兼明尼苏达大学微技术实验室主任。无论是在工业界还是在大学实验室，他的斗导体器件制造领域都有着广泛的经验。他的研究领域主要包括快速热化学气相淀积、高性能栅介质、磁MEMS和纳米结构等。TOP目录 前言　刑法解释困境及其出路　刑法解释与刑法论证之别　研究刑法论证方法的意义　刑法论证方法研究的基本思路第一章 刑法论证方法基础问题　第一节　刑法论证界说　第二节　刑法论证理论述要　第三节　刑法论证方法概述第二章 刑法语境论证模式　第一节　刑法语境论证模式界说　第二节　视角切换论证方法　第三节　刑法体系分析论证法第三章 一体化刑法论证模式　第一节　一体化刑法论证模式概述　第二节　一体化刑法论证模式的基本方法　第三节　一体化刑法论证模式评析第四章 刑法要素管理论证模式　第一节　概述　第二节　刑法要素关联论证的基本方法　第三节　刑法要素关联论证模式评析第五章 西国内法论证方法综合运用问题　第一节　刑法论证方法综合运用中的位阶关系　第二节　刑法论证方法运用中的主要制约因素　第三节　从注重“证实”到强化“证伪”主要参考文献后记 TOP 其它信息 装帧：平装页数：613 版次：1版开本：16正文语种：中文

第1篇 综述与题材
第1章 微电子制造引论
1.1 微电子工艺：一个简单的例子
1.2 单项工艺与工艺技术
1.3 本课程教程
1.4 小结
第2章 半导体衬底
2.1 相图和固溶度
2.2 结晶学和晶体结构
2.3 晶体缺陷
2.4 直拉法（Czochralski法）单晶生长
2.5 Bridgman法生长GaAs
2.6 区熔法单晶生长
2.7 圆片的制备和规格
2.8 小结及未来趋势
习题
参考文献
第2篇 单项工艺1：热处理和离子注入
第3章 扩散
3.1 一维费克扩散方程
3.2 扩散的原子模型
3.3 费克定律的分析解
3.4 简单理论的修正
3.5 常见杂质的扩散系数
3.6 扩散分布的分析
3.7 SiO2中的扩散
3.8 扩散系统
3.9 扩散分布的SUPREM模拟
3.10 小结
习题
参考文献
第4章 热氧化
4.1 迪尔和格罗夫氧化模型
4.2 线性和抛物线速率系数
4.3 初始阶段的氧化
4.4 SiO2的结构
4.5 SiO2的特性
4.6 掺杂杂质对氧化和多晶氧化过程的影响
4.7 氧化诱生堆垛层错
4，8 替代的栅绝缘层"
4.9 氧化系统
4.10 SUPREM氧化+
4.11 小结
习题
参考文献
第5章 离子注入
5.1 理想化的离子注入系统
5.2 库仑散射
5.3 垂直投影射程
5.4 沟道效应和横向投影射程
5.5 注入损伤
5.6 浅结的形成+
5.7 埋层介质+
5.8 离子注入系统的问题和关注点
5.9 用SUPREM模拟注入的分布"
5.10 小结
习题
参考文献
第6章 快速热处理
6.1 灰体辐射，热交换和光吸收
6.2 高强度光源和反应腔设计
6.3 温度测量
6.4 热塑应力
6.5 杂质的快速热激活
6.6 介质的快速热加工
6.7 硅化物和接触的形成
6.8 其他的快速热处理系统
6.9 小结
习题
参考文献
第3篇 单元工艺2：图形转移
第7章 光学光刻
7.1 光学光刻概述
7.2 衍射
7.3 调制传输函数和光学曝光
7.4 光源系统和空间相干
7.5 接触式／接近式光刻机
7.6 投影光刻机
7.7 先进掩模概念
7.8 表面反射和驻波
7.9 对准
7.10 小结
习题
参考文献
第8章 光刻胶
8.1 光刻胶类型
8.2 有机材料和聚合物
8.3 DQN正胶的典型反应
8.4 对比度曲线
8.5 临界调制传输函数
8.6 光刻胶的涂敷和显影
8.7 二级曝光效应
8.8 先进的光刻胶和光刻胶工艺
8.9 小结
习题
参考文献
第9章 非光学光刻技术
9.1 高能柬与物体之间的相互作用
9.2 直写电子束光刻系统
9.3 直写电子束光刻概要和展望
9.4 X射线源
9.5 接近式X射线系统
9.6 薄膜型掩模版
9.7 投影式X射线光刻
9.8 投影电子束光刻（SCALPEL）
9.9 电子束和X射线光刻胶
9.10 MOS器件中的辐射损伤
9.11 小结
习题
参考文献
第10章 真空科学和等离子体
10.1 气体动力学理论
10.2 气体流动及导率
10.3 压力范围和真空泵
10.4 真空密封和压力测量
10.5 直流辉光放电
10.6 射频放电
10.7 高密度等离子体
10.8 小结
习题
参考文献
第11章 刻蚀
11.1 湿法刻蚀
11.2 化学机械抛光
11.3 等离子刻蚀基本分类
11.4 高压等离子刻蚀
11.5 离子铣
11.6 反应离子刻蚀
11.7 反应离子刻蚀中的损伤十
11.8 高密度等离子体（HDP）刻蚀
11.9 剥离技术
11.10 小结
习题
参考文献
第4篇 单项工艺3：薄膜
第12章 物理淀积：蒸发和溅射
12.1 相图：升华和蒸发
12.2 淀积速率
12.3 台阶覆盖
12.4 蒸发系统：坩锅加热技术
12.5 多组分薄膜
12.6 溅射简介
12.7 溅射物理
12.8 淀积速率：溅射产额
12.9 高密度等离子溅射
12.10 形貌和台阶覆盖
12.11 溅射方法
12.12 特殊材料溅射
12.13 淀积膜内的应力
12.14 小结
习题
参考文献
第13章 化学气相淀积
13.1 一种简单的硅淀积CVD系统
13.2 化学平衡和质量作用定律
13.3 气体流动和边界层
13.4 简单CVD系统评价
13.5 常压介质CVD
13.6 热壁系统中的介质和半导体低压CVD
13.7 介质的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）
13.8 金属CVD
13.9 小结
习题
参考文献
第14章 外延生长
14.1 圆片清洗和自然氧化物去除
14.2 气相外延生长的热动力学
14.3 表面反应
14.4 掺杂剂的引入
14.5 外延生长缺陷
14.6 选择性生长
14.7 卤化物输运GaAs气相外延
14.8 不共度和应变异质外延
14.9 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）
14.10 先进的硅气相外延生长技术
14.11 分子束外延技术
14.12 BCF理论+
14.13 气态源MBE和化学束外延+
14.14 小结
习题
参考文献
第5篇 工艺集成
第15章 器件隔离、接触和金属化
15.1 PN结隔离和氧化物隔离
15.2 LOCOS（硅的局部氧化）技术
15.3 沟槽隔离
15.4 绝缘体上硅隔离技术
15.5 半绝缘衬底
15.6 肖特基接触
15.7 注入形成的欧姆接触
15.8 合金接触
15.9 多层金属化
15.10 平坦化和先进的互连工艺
15.11 小结
习题
参考文献
第16章 CMOS技术
16.1 基本长沟道器件特性
16.2 早期MOS工艺技术
16.3 基本的3um工艺技术
16.4 器件等比例缩小
16.5 热载流子效应和漏极工程
16.6 用于坚固氧化物的工艺
16.7 闩锁效应
16.8 浅源/漏和特定沟道掺杂
16.9 小结
习题
参考文献
第17章 GSASI艺技术
17.1 基本的MESFET工作原理
17.2 基本的MESFET工艺技术
17.3 数字电路工艺技术
17.4 单片微波集成电路技术
17.5 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）
17.6 光电子器件
17.7 小结
习题
参考文献
第18章 硅双极型工艺技术
18.1 双极型器件回顾；理想与准理想特性
18.2 二阶效应
18.3 双极型晶体管的性能
18.4 早期的双极型工艺技术
18.5 先进的双极型工艺技术
18.6 双极型晶体管中的热载流子效应
18.7 双极一CMOS兼容工艺技术（BiCMOS）
18.8 模拟双极型工艺技术
18.9 小结
习题
参考文献
第19章 微机电系统
19.1 力学基础知识
19.2 薄膜中的应力
19.3 机械量到电量的变换
19.4 常见MEMS器件力学性质
19.5 体微机械制造中的刻蚀技术
19.6 体微机械工艺流程
19.7 表面微机械制造基础
19.8 表面微机械加工工艺流程
19.9 MEMS执行器
19.10 大高宽比的微系统技术
19.11 小结
习题
参考文献
第20章 集成电路制造
20.1 成品率的预测和追踪
20.2 颗粒控制
20.3 统计过程控制
20.4 全因素试验和ANOVA
20.5 试验设计
20.6 计算机集成制造
20.7 小结
习题
参考文献
附录A 缩写与通用符号
附录B 部分半导体材料性质
附录C 物理常数
附录D 单位转换因子
附录E 误差函数的一些性质
附录F F数
附录G SUPREM指令