半导体的电子结构与性能（第4卷）

　　本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送，本征点缺陷及深中心；第5章至第8章叙述平衡、非平衡，扩散"和淀积，位错，半导体中的晶界及界面；第9章至第11章介绍量子线中的霍尔效应，氢化无定形硅的材料特性，硅中3d过渡元素的高温特性。本卷可供材料科学、物理、金属学、电子、机械、航空、航天等研究、教学及生产的科学技术工作者阅读、参考。

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1半导体中的能带理论
2光学性质和电输运
3半导体中的本征点缺陷
4半导体中的深中心
5平衡.非平衡.扩散和沉淀
6位错
7半导体中的晶界
8界面
9量子线中的霍尔效应
10氢化无定形硅的材料特性
11硅中3d过渡元素的高温特性
索引