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微电子学概论
作者:张兴等编著
出版社:北京大学出版社
出版时间:2000-01-01
ISBN:9787301042854
定价:¥20.00
内容简介
编辑推荐:本书是《北京大学计算机系主干教材》之一。本书是在北京大学计算机科学与技术系微电子专业《微电子学概论》这一主干基础课的讲义基础上形成的,涵盖了半导体物理和器件物理基础知识,集成电路基础知识、设计、制造、最新技术以及发展趋势,内容系统、全面。广大信息技术领域的从业人员、这一领域的大校大学以及微电子专业人员阅读这本书,不仅能对微电子学基础知识有全面了解,而且可以领略到这一领域技术的最新发展、最新观点和最新成果。
作者简介
暂缺《微电子学概论》作者简介
目录
第一章绪论
1.1晶体管的发明
1.2集成电路的发展历史
1.3集成电路的分类
1.3.1按器件结构分类
1.3.2按集成电路规模分类
1.3.3按结构形式的分类
1.3.4按电路功能分类
1.3.5集成电路的分类小结
1.4微电子学的特点
第二章半导体物理和2S件物理基础
2.1半导体及其基本特性
2.1.1金属-半导体-绝缘体
2.1.2半导体的掺杂
2.1.3半导体的电导率和电阻率
2.1.4迁移率
2.2半导体中的载流子
2.2.1半导体中的能带
2.2.2多子和少子的热平衡
2.2.3电子的平衡统计规律
2.2.4过剩载流子
2.3PN结
2.3.1平衡PN结
2.3.2PN结的正向特性
2.3.3PN结的反向特性
2.3.4PN结的击穿
2.3.5PN结的电容
2.4双极晶体管
2.4.1双极晶体管的基本结构
2.4.2晶体管的电流传输
2.4.3晶体管的电流放大系数
2.4.4晶体管的直流特性曲线
2.4.5晶体管的反向电流与击穿电压
2.4.6晶体管的频率特性
2.5MOS场效应晶体管
2.5.1MOS场效应晶体管的基本结构
2.5.2MIS结构
2.5.3MOS场效应晶体管的直流特性
2.5.4MOS场效应晶体管的种类
2.5.5MOS场效应晶体管的电容
第三章大规模集成电路基础
3.1半导体集成电路概述
3.2双极集成电路基础
3.2.1集成电路中的双极晶体管
3.2.2双极型数字集成电路
3.2.3双极型模拟集成电路
3.3MOS集成电路基础
3.3.1集成电路中的MOSFET
3.3.2MOS数字集成电路
3.3.3CMOS集成电路
第四章集成电路制造工艺
4.1双极集成电路工艺流程
4.2MOS集成电路工艺流程
4.3光刻与刻蚀技术
4.3.1光刻工艺简介
4.3.2几种常见的光刻方法
4.3.3超细线条光刻技术
4.3.4刻蚀技术
4.4氧化
4.4.1SiO2的性质及其作用
4.4.2热氧化形成SiO2的机理
4.4.3SiO2的制备方法
4.5扩散与离子注入
4.5.1扩散
4.5.2扩散工艺
4.5.3离子注入
4.5.4离子注入原理
4.5.5退火
4.6化学汽相淀积(CVD)
4.6.1化学汽相淀积方法
4.6.2单晶硅的化学汽相淀积(外延)
4.6.3二氧化硅的化学汽相淀积
4.6.4多晶硅的化学汽相淀积
4.6.5氮化硅的化学汽相淀积
4.7接触与互连
4.7.1金属膜的形成方法
4.7.2难熔金属硅化物栅及其复合结构
4.7.3多层互连
4.8隔离技术
4.8.1双极集成电路隔离工艺
4.8.2MOS集成电路隔离工艺
4.9封装技术
4.9.1封装工艺
4.9.2封装的分类
4.10集成电路工艺小结
第五章集成电路设计
5.1集成电路的设计特点与设计信息描述
5.1.1设计特点
5.1.2设计信息描述
5.2集成电路的设计流程
5.3集成电路的设计规则
5.3.1以为单位的设计规则
5.3.2以微米为单位的设计规则
5.4集成电路的设计方法
5.4.1全定制设计方法
5.4.2门阵列设计方法(GA方法)
5.4.3标准单元设计方法(SC方法)
5.4.4积木块设计方法(BBL方法)
5.4.5可编程逻辑器件设计方法
5.4.6几种布图没计方法的比较
5.4.7兼容设计方法
5.4.8硅编译器技术
5.4.9可测性设汁技术
5.5集成电路设计举例
5.5.1四位运算器的设计流程
5.5.2多路开关的设计实现过程
第六章集成电路设计的CAD系统
6.1集成电路设计的CAD系统概述
6.2系统描述与模拟--VHDL语言及模拟
6.2.1VHDL语言的基本概念及主要作用
6.2.2VHDL语言建模机制的特点
6.2.3VHDL的模拟算法
6.2.4VHDL语言模拟环境的特点
6.3综合
6.4逻辑模拟
6.4.1逻辑模拟的基本概念和主要作用
6.4.2逻辑模拟模型的建立
6.4.3逻辑描述
6.4.4逻辑模拟算法
6.4.5开关级逻辑模拟
6.5电路模拟
6.5.1电路模拟的基本概念
6.5.2电路模拟的基本功能
6.5.3电路模拟软件的基本结构
6.5.4电路描述
6.6时序分析和混合模拟
6.6.1时序分析和混合模拟的主要作用
6.6.2时序分析的基本原理
6.6.3混合模拟
6.7版图设计的CAD工具
6.7.1版图设计的基本概念
6.7.2版图的自动设计
6.7.3版图的半自动设计
6.7.4版图的人工设计
6.7.5版图检查与验证
6.7.6制版
6.7.7版图数据交换的格式
6.8器件模拟
6.8.1器件模拟的基本概念
6.8.2器件模拟的基本原理
6.8.3器件模拟的基本功能及所用模型
6.8.4输入文件
6.9工艺模拟
6.9.1工艺模拟的基本概念
6.9.2工艺模拟的基本内容
6.9.3工艺模拟的输入文件
6.10计算机辅助测试(CAT)技术
6.10.1故障模型
6.10.2计算机辅助测试技术
第七章几类重要的特种微电子器件
7.1薄膜晶体管
7.2光电子器件
7.2.1辐射跃迁和光吸收
7.2.2发光器件
7.2.3光电探测器
7.2.4太阳能电池
7.3CCD器件
第八章微机电系统
8.1微机电系统的基本概念
8.2几种重要的MEMS器件
8.4.1微加速度计
8.4.2微陀螺
8.4.3微马达
8.3MEMS加工工艺
8.3.1硅微机械加工工艺
8.3.2LIGA加工工艺
8.4MEMS技术发展的趋势
第九章微电子技术发展的规律和趋势
9.1微电子技术发展的一些基本规律
9.1.1摩尔定律
9.1.2等比例缩小定律
9.2微电子技术发展的一些趋势和展望
9.2.12l世纪仍将以硅基CMOS电路为主流
9.2.2集成系统是21世纪微电子技术发展的重点
9.2.3微电子与其它学科结合诞生出新的技术增长点
9.2.4近几年将有重大发展的一些关键技术
附录
附录A微电子学领域大事记
附录B微电子学常用缩略语
1.1晶体管的发明
1.2集成电路的发展历史
1.3集成电路的分类
1.3.1按器件结构分类
1.3.2按集成电路规模分类
1.3.3按结构形式的分类
1.3.4按电路功能分类
1.3.5集成电路的分类小结
1.4微电子学的特点
第二章半导体物理和2S件物理基础
2.1半导体及其基本特性
2.1.1金属-半导体-绝缘体
2.1.2半导体的掺杂
2.1.3半导体的电导率和电阻率
2.1.4迁移率
2.2半导体中的载流子
2.2.1半导体中的能带
2.2.2多子和少子的热平衡
2.2.3电子的平衡统计规律
2.2.4过剩载流子
2.3PN结
2.3.1平衡PN结
2.3.2PN结的正向特性
2.3.3PN结的反向特性
2.3.4PN结的击穿
2.3.5PN结的电容
2.4双极晶体管
2.4.1双极晶体管的基本结构
2.4.2晶体管的电流传输
2.4.3晶体管的电流放大系数
2.4.4晶体管的直流特性曲线
2.4.5晶体管的反向电流与击穿电压
2.4.6晶体管的频率特性
2.5MOS场效应晶体管
2.5.1MOS场效应晶体管的基本结构
2.5.2MIS结构
2.5.3MOS场效应晶体管的直流特性
2.5.4MOS场效应晶体管的种类
2.5.5MOS场效应晶体管的电容
第三章大规模集成电路基础
3.1半导体集成电路概述
3.2双极集成电路基础
3.2.1集成电路中的双极晶体管
3.2.2双极型数字集成电路
3.2.3双极型模拟集成电路
3.3MOS集成电路基础
3.3.1集成电路中的MOSFET
3.3.2MOS数字集成电路
3.3.3CMOS集成电路
第四章集成电路制造工艺
4.1双极集成电路工艺流程
4.2MOS集成电路工艺流程
4.3光刻与刻蚀技术
4.3.1光刻工艺简介
4.3.2几种常见的光刻方法
4.3.3超细线条光刻技术
4.3.4刻蚀技术
4.4氧化
4.4.1SiO2的性质及其作用
4.4.2热氧化形成SiO2的机理
4.4.3SiO2的制备方法
4.5扩散与离子注入
4.5.1扩散
4.5.2扩散工艺
4.5.3离子注入
4.5.4离子注入原理
4.5.5退火
4.6化学汽相淀积(CVD)
4.6.1化学汽相淀积方法
4.6.2单晶硅的化学汽相淀积(外延)
4.6.3二氧化硅的化学汽相淀积
4.6.4多晶硅的化学汽相淀积
4.6.5氮化硅的化学汽相淀积
4.7接触与互连
4.7.1金属膜的形成方法
4.7.2难熔金属硅化物栅及其复合结构
4.7.3多层互连
4.8隔离技术
4.8.1双极集成电路隔离工艺
4.8.2MOS集成电路隔离工艺
4.9封装技术
4.9.1封装工艺
4.9.2封装的分类
4.10集成电路工艺小结
第五章集成电路设计
5.1集成电路的设计特点与设计信息描述
5.1.1设计特点
5.1.2设计信息描述
5.2集成电路的设计流程
5.3集成电路的设计规则
5.3.1以为单位的设计规则
5.3.2以微米为单位的设计规则
5.4集成电路的设计方法
5.4.1全定制设计方法
5.4.2门阵列设计方法(GA方法)
5.4.3标准单元设计方法(SC方法)
5.4.4积木块设计方法(BBL方法)
5.4.5可编程逻辑器件设计方法
5.4.6几种布图没计方法的比较
5.4.7兼容设计方法
5.4.8硅编译器技术
5.4.9可测性设汁技术
5.5集成电路设计举例
5.5.1四位运算器的设计流程
5.5.2多路开关的设计实现过程
第六章集成电路设计的CAD系统
6.1集成电路设计的CAD系统概述
6.2系统描述与模拟--VHDL语言及模拟
6.2.1VHDL语言的基本概念及主要作用
6.2.2VHDL语言建模机制的特点
6.2.3VHDL的模拟算法
6.2.4VHDL语言模拟环境的特点
6.3综合
6.4逻辑模拟
6.4.1逻辑模拟的基本概念和主要作用
6.4.2逻辑模拟模型的建立
6.4.3逻辑描述
6.4.4逻辑模拟算法
6.4.5开关级逻辑模拟
6.5电路模拟
6.5.1电路模拟的基本概念
6.5.2电路模拟的基本功能
6.5.3电路模拟软件的基本结构
6.5.4电路描述
6.6时序分析和混合模拟
6.6.1时序分析和混合模拟的主要作用
6.6.2时序分析的基本原理
6.6.3混合模拟
6.7版图设计的CAD工具
6.7.1版图设计的基本概念
6.7.2版图的自动设计
6.7.3版图的半自动设计
6.7.4版图的人工设计
6.7.5版图检查与验证
6.7.6制版
6.7.7版图数据交换的格式
6.8器件模拟
6.8.1器件模拟的基本概念
6.8.2器件模拟的基本原理
6.8.3器件模拟的基本功能及所用模型
6.8.4输入文件
6.9工艺模拟
6.9.1工艺模拟的基本概念
6.9.2工艺模拟的基本内容
6.9.3工艺模拟的输入文件
6.10计算机辅助测试(CAT)技术
6.10.1故障模型
6.10.2计算机辅助测试技术
第七章几类重要的特种微电子器件
7.1薄膜晶体管
7.2光电子器件
7.2.1辐射跃迁和光吸收
7.2.2发光器件
7.2.3光电探测器
7.2.4太阳能电池
7.3CCD器件
第八章微机电系统
8.1微机电系统的基本概念
8.2几种重要的MEMS器件
8.4.1微加速度计
8.4.2微陀螺
8.4.3微马达
8.3MEMS加工工艺
8.3.1硅微机械加工工艺
8.3.2LIGA加工工艺
8.4MEMS技术发展的趋势
第九章微电子技术发展的规律和趋势
9.1微电子技术发展的一些基本规律
9.1.1摩尔定律
9.1.2等比例缩小定律
9.2微电子技术发展的一些趋势和展望
9.2.12l世纪仍将以硅基CMOS电路为主流
9.2.2集成系统是21世纪微电子技术发展的重点
9.2.3微电子与其它学科结合诞生出新的技术增长点
9.2.4近几年将有重大发展的一些关键技术
附录
附录A微电子学领域大事记
附录B微电子学常用缩略语
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