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电可改写非挥发存储器
作者：于宗光，郝跃著
出版社：国防工业出版社
出版时间：2002-01-01
ISBN：9787118027679
定价：¥19.00
内容简介
本书介绍了EEPROM单元结构的变革及发展方向，EEPROM的电路设计技术，EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究，电可改写集成电路的应用等12章内容。
作者简介
暂缺《电可改写非挥发存储器》作者简介
目录
第一章 电可改写集成电路简介
第二章 EEPROM单元结构的变革及发展方向
第三章 FLOTOX EEPROM单元设计技术
第四章 EEPROM的电路设计技术
第五章 EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究
第六章 FLOTOX EEPROM MOS管的可靠性研究
第七章 EEPROM单元的耐久性研究
第八章 EEPROM单元的保持特性研究
第九章 EEPROM的失效机理与考核
第十章 EEPROM的误差校正技术及成品率
第十一章 flash memory技术
第十二章 电可改写集成电路的应用
参考文献
第二章 EEPROM单元结构的变革及发展方向
第三章 FLOTOX EEPROM单元设计技术
第四章 EEPROM的电路设计技术
第五章 EEPROM中隧道氧化层的可靠性研究
第六章 FLOTOX EEPROM MOS管的可靠性研究
第七章 EEPROM单元的耐久性研究
第八章 EEPROM单元的保持特性研究
第九章 EEPROM的失效机理与考核
第十章 EEPROM的误差校正技术及成品率
第十一章 flash memory技术
第十二章 电可改写集成电路的应用
参考文献
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