深深怀念黄昆老师
秦国刚
黄昆老师离开我们两年多了，但他音容宛在，还活在包括我在内的许多人的心中．
回顾自己走过的道路，我之所以能为国家工作半个多世纪，至今还在科学研究和指导研究生的第一线工作，首先要由衷深切感谢我从小学到研究生各个阶段的许多位老师的启蒙和教导．没有他们的辛勤培育和扶植，就不可能有今天的我．在我的老师之中，黄昆老师对我的成长具有最深远的影响：他是教导我时间最长的老师；他是教过我功课门类最多的老师；他是带领我走进科学研究大门的老师；他也是最长期给予我教益和工作支持的老师．
在大学和研究生时期，我十分有幸，先后亲耳聆听了黄昆老师四门功课的精彩讲授．我1952年考入北京大学物理系，一年级的主课“普通物理”的主讲人就是黄昆老师．1955年我进入物理系固体物理专门化中的半导体物理小组（此外，还有磁学和金属物理小组），当时黄昆老师正担任负责该专门化的固体物理教研室主任．我研究生毕业于1961年2月，导师正是黄昆老师．我作为大学生和研究生得到他的直接教导，前后历时八年多，因此，黄昆老师是教导我时间最长的老师．应该指出，我之所以选择固体物理专门化中的半导体物理方向，有两方面的原因：一方面是，半导体是一门新兴学科，祖国建设非常需要这方面的专门人才．另一方面则是，在学习“普通物理”时，黄昆老师的讲课、答疑和考试无不给我留下非常深刻的印象．我认为，能有机会向这样的好老师学习，是很大的福分，而进入固体物理专门化中的半导体物理方向，则正是进一步向黄昆老师学习的难得良机．
除了“普通物理”，在大学阶段黄昆老师还为我们1956届学生讲授了“固体物理”．1955年，他还与洪朝生老师共同为我们半导体物理小组同学讲授了“半导体物理”．洪朝生老师讲基础部分，包括载流子统计和输运等；而黄昆老师讲非平衡载流子和pn结等．这是我第一次接触半导体，此后五十多年，再也没有离开过它．在“五校”创办联合半导体教研室期间，1957年黄昆老师与谢希德老师共同为研究生和半导体教研室的年轻教师讲授半导体理论，各自讲授了几个章节．当时年轻教师较多，如虞丽生、莫党、李克诚、阮刚、孙恒慧等，研究生一共只有三人：复旦大学的王迅与屈逢源（导师是谢希德教授）和北京大学的我．我前后听过黄昆老师讲授的课程达四门之多，他无疑是教过我功课门类最多的老师．
当时，大学阶段为使学生学习如何进行科学研究与发挥科学创造性而设置的唯一课程就是毕业论文．我十分有幸能由黄昆老师亲自指导我的大学毕业论文．他给我确定的论文题目是《晶体中的热跃迁理论》．具体来说，就是从理论上研究在晶体中缺陷上电子在两个电子态之间的发射多个声子而不是光子的跃迁过程．虽然研究工作仅仅持续了短短一个学期，但是对我一生的科学研究来说，这却是一个重要的开端．而带领我走进科学研究大门的引领者正是黄昆老师．从事毕业论文工作，使我有更多机会和黄昆老师就工作中遇到的科学问题进行详尽的探讨．他对科学问题有很敏锐的感觉，能很快抓住问题的要害，用简明而清晰的语言指出解决问题的方向以至具体途径．他重视学术民主，允许学生与他争辩科学是非．他对学生要求严格，决不容忍概念模糊和模棱两可．因此，与他讨论之前，我一定要认真整理和思考所提出的问题，力求避免有模糊的概念．与他相处时间长了，我逐渐养成了对于科学问题反复推敲、力求有一个鲜明物理图像的习惯，这对我后来的科学研究工作裨益良多．至于毕业论文研究的对象，即晶体中的缺陷，通过黄昆老师的指导，我认识到它在半导体中正反两方面的重要性，对此产生了浓厚的兴趣，从此与它结下了不解之缘，它成为后来我科学研究中经常关注以至于主攻的对象．例如，我与我所在的研究组在1978～1990年间的主要研究对象就是半导体中的深能级，它的一个主要来源就是半导体中的缺陷．
从1961年我研究生毕业到2005年黄昆老师离开我们，前后历时近45年．其间，黄昆老师虽然不再给我授课，但是他对我的教益和工作上的支持是贯彻始终、叙说不尽的，只能举几例说明．
1978年，高校恢复基础研究．我当时在北京大学汉中分校，从文献中了解到国际上在半导体深能级研究进展很快．结合自身的条件，我们选择半导体深能级作为科研的主攻方向．当时，领导上已决定次年汉中分校回归北大，我们教研室则回归北大物理系．为争取时间，我与部分老师提前一年回到北大，向物理系借了一间房，从零开始，创建半导体深能级实验室．黄昆老师虽然已于1977年离开了北大，调任中国科学院半导体研究所所长，但当他知道我们回京时，从精神到业务都给予了许多支持．每当我们取得一点小小成果，向他汇报时，总是得到他的充分肯定和鼓励，他还不时提出一些具体建议．从1984年起，我们的部分论文投向国外期刊．由于此前从未用英文写过论文，一点把握没有，于是将写好的英文论文先请黄昆老师过目．他认为英语不合格的地方，每次都做了非常仔细的修改，论文面目为之一新．由于他在半导体所工作繁重，业余为我修改论文又太过认真，花费许多精力，到后来，除非我自己认为是关键性的论文，其他的不好意思再送请他修改了．
1981年第二届半导体中深能级国际会议在地中海畔法国小镇圣马希姆（Sainte Maxime）召开．会议特邀黄昆老师参加，因为国际上研究半导体中深能级的许多专家都认为黄昆老师与李爱扶老师于1950年发表的论文Theory of light absorption and non-radiative transitions in F-centers①是深能级电子量子跃迁的理论基础，因此对他十分推崇，他受到特别邀请是理所当然的．但他却把这个难得的机会让给了我．就这样，1981年5月，我在一句法语不会、英语口语从未得到实践的情况下，孤身一人从巴黎转机到尼斯，再搭汽车西行约一百多公里到达目的地，参加会议．这是我第一次走出国门，也是我第一次参加国际会议，其感受是难以忘怀的．当时改革开放不久，出国开会的机会还很少，参加这次会议的一百多人中我是唯一从中国去的．而外国人看到来自大陆的中国人，也感到稀罕．会议期间，有不少人向我问起黄昆老师的近况，其实其中大部分人并不认识他，只是通过读他的文章或著作，才知道中国有这样一位了不起的科学家．我从会议中了解到不少半导体深能级最新进展，学到了新知识，推动了我们组的研究工作．1984年，我与黄昆老师一起参加了在美国圣迭戈（San Diego）举行的第13届半导体中缺陷国际会议．这是我一生中唯一一次与黄昆老师同时参加一个国际会议，在此附上我们师生以太平洋为背景的一张合影．会后，黄昆老师辞去了“半导体中缺陷”系列国际会议国际顾问委员会委员的职务，推荐我继续担任此职．黄昆老师就是用诸如此类的方式大力培养和支持他的学生和其他后学的．
1984年，秦国刚（左）与黄昆在美国圣迭戈合影
1982年，虞福春老师开始担任北大物理系系主任．他上任以后做了许多调查研究，当时系里有不多的经费可以支持系内科学研究．他多方了解系里哪些研究组的工作有较好的发展前景，应该得到支持．其中，他也问了黄昆老师．经黄昆老师的大力推荐，虞福春老师等系领导决定给予我们研究组30万元科研经费，这对我们研究组来说可是及时雨．在当时，这是相当大的一个数目，因为一个国家自然科学基金面上项目一般也才6～8万元．这是我一生中唯一一次未经申请得到的科研经费．黄昆老师从没有对我提起过他对我们组的推荐，我是后来从虞福春老师处了解到这个情况的．他对包括我在内的许多学生或后辈的支持都是大公无私的，很多是在我们本人完全不知情的情况下进行的．
黄昆老师倾其一生，全身心地扑在祖国的教学和科研事业上，他以极大热情和精力投入为国家培养科技人才的光荣事业．他认为，在中国培养一支科技队伍的重要性远远超过他个人在学术上的成就．作为黄昆老师教书育人的最大受益者之一，我深深怀念他，他永远活在我的心中．
作者简介
秦国刚，中国科学院院士，北京大学物理学院教授、博士生导师．1956年毕业于北京大学物理系，之后师从黄昆，1961年2月研究生毕业．长期从事半导体中杂质缺陷和深能级、金属与半导体接触、纳米硅—氧化硅体系发光、纳米化合物半导体材料及其原型器件、硅基有机半导体发光等领域的研究，并做出系统性和创造性的研究成果．
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注释
① 参见：Huang K, Rhys A. Theory of light absorption and non-radiative transitions in F-centers. Proc. Roy. Soc. A (London), 1950, 204: 406～423.
