日本三井金属矿业公司在全世界率领先开发成功3~5μm的超薄铜箔。在超薄铜箔技术方面, 除了保证这种铜箔的性能、 品质外, 它的载体制造技术也是很重要的一个方面。日本福田公司在2001年开发出厚度9μm的无载体超薄铜箔产品。在载体的种类上, 有的日本铜箔制造厂家已在近期开发薄膜型载体, 以代替传统的金属(多为铝箔或铜箔的载体)载体, 使得在应用超薄铜箔制造PCB更加方便, 可靠性更高, 产品合格率得以提高。
2003年, 日本Micro hard公司首次推出了9μm以下的高品质、 宽幅超薄压延铜箔, 及高性能的红化、 黑化的两种表面处理压延铜箔。由于它们既具有压延铜箔所特有的高耐折曲性, 又有可制作微细电路图形的特性。推出的这两种采用新工艺进行表面处理的压延铜箔产品, 还可提高基板的焊接耐热性和剥离强度。
在解决高速化、 高频化PCB基板材料所用的低轮廓铜箔上, 日本三井金属矿业公司专门为此开发出以改善与基材树脂粘接强度为中心目标的新型电解铜箔(牌号为MQ—VLP)。它也是世界铜箔制造业界首次问世的适于高速、 高频基板材料专用的电解铜箔产品(2002年9月首次公布了此成果 )。日本多家铜箔厂家还在适于CO2激光直接对铜箔进行PCB的微细导通孔钻孔加工的专用铜箔、 锂离子电池专用铜箔(如多孔质铜箔)等方面获得开发成果, 并实现工业化。
